集成电路器件制造技术

集成电路器件包括：下部电极；覆盖所述下部电极的电介质膜；覆盖所述电介质膜的上部电极；以及在所述电介质膜和所述上部电极之间的多层界面结构，其中所述多层界面结构包括：包括Al原子分散于其中的过渡金属氧化物层的过渡金属‑铝(Al)复合氧化物层，所述过渡金属‑Al复合氧化物层与所述电介质膜接触；和包括金属氧化物或金属氧氮化物的上部界面层，所述上部界面层与所述过渡金属‑Al复合氧化物层接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及集成电路(ic)器件，更特别地涉及包括电容器的ic器件。

技术介绍

1、随着ic器件的小型化，电容器所占的空间迅速缩小。因此，需要开发如下的结构：其可克服电容器中的空间限制和设计规则限制，并且改善电容器的电容以保持期望的电学特性。

技术实现思路

1、本专利技术构思提供集成电路(ic)器件，其可具有通过提供具有相对高的电容的电容器而能够保持期望的电学特性的结构。

2、根据本专利技术构思的一个方面，提供ic器件，其包括：下部电极；覆盖所述下部电极的电介质膜(介电膜)；覆盖所述电介质膜的上部电极；以及在所述电介质膜和所述上部电极之间的多层界面结构，其中所述多层界面结构包括：包括al原子分散于其中的过渡金属氧化物层的过渡金属-铝(al)复合氧化物层，所述过渡金属-al复合氧化物层与所述电介质膜接触；和包括金属氧化物或金属氧氮化物的上部界面层，所述上部界面层与所述过渡金属-al复合氧化物层接触。

3、根据本专利技术构思的另一方面，提供ic器件，其包括：包括有源(活性)区域的基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.集成电路器件，包括：

2.如权利要求1所述的集成电路器件，其中

3.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述过渡金属-Al复合氧化物层包括Al原子分散于其中的氧化锆或Al原子分散于其中的氧化铪。

4.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述上部界面层包括选自如下的至少一种金属的氧化物或所述至少一种金属的氧氮化物：钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、锡(Sn)、或钼(Mo)。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，其中

6.如权利要求1所述的集成电路器件，其中

7.如权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：

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【技术特征摘要】

1.集成电路器件，包括：

2.如权利要求1所述的集成电路器件，其中

3.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述过渡金属-al复合氧化物层包括al原子分散于其中的氧化锆或al原子分散于其中的氧化铪。

4.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述上部界面层包括选自如下的至少一种金属的氧化物或所述至少一种金属的氧氮化物：钛(ti)、铌(nb)、钽(ta)、锡(sn)、或钼(mo)。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，其中

6.如权利要求1所述的集成电路器件，其中

7.如权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：

8.如权利要求7所述的集成电路器件，其中所述掺杂剂金属包括铌...

【专利技术属性】
技术研发人员：李睿璱，闵淙渶，郑圭镐，朴晙晰，白智睿，李真旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：