【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、半导体结构，如相变存储器，其作为一种新兴的非易失性存储器件，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面相对快闪存储器均具备较大的优越性。
2、然而，随着相变存储器的发展，相变存储单元所包含的导电线在使用或形成时还存在许多问题亟待改善。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2、衬底；
3、相变存储单元，所述相变存储单元位于所述衬底上；
4、第一导电线，所述第一导电线位于所述相变存储单元上且沿第一方向延伸，所述第一方向平行于所述衬底的平面；
5、第一应力改善层，所述第一应力改善层与所述第一导电线接触，且至少包含位于所述第一导电线靠近或远离所述相变存储单元一侧的第一子层。
6、在一些实施例中，所述第一应力改善层还包括第二子层，所述第二子层与所述第一导电线接触，且与所述第一子层在所述第一导电线的不同侧相
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一应力改善层还包括第二子层，所述第二子层与所述第一导电线接触，且与所述第一子层在所述第一导电线的不同侧相对设置。
3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第一子层的厚度和所述第二子层的厚度相同，且与所述第一导电线的厚度之比大于或等于1/20且小于或等于1/2。
4.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第一子层和/或所述第二子层在平行于所述衬底平面方向上的尺寸与所述第一导电线在平行于所述衬底平面方向上的尺寸相同。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一应力改善层还包括第二子层，所述第二子层与所述第一导电线接触，且与所述第一子层在所述第一导电线的不同侧相对设置。
3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第一子层的厚度和所述第二子层的厚度相同，且与所述第一导电线的厚度之比大于或等于1/20且小于或等于1/2。
4.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第一子层和/或所述第二子层在平行于所述衬底平面方向上的尺寸与所述第一导电线在平行于所述衬底平面方向上的尺寸相同。
5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一应力改善层还包括第三子层，所述第三子层与所述第一子层位于所述第一导电线的同一侧。
6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述第三子层的材料与所述第一子层...
【专利技术属性】
技术研发人员：王芳，刘峻，付志诚，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。