一种基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料及其制备方法，属于微波电子陶瓷材料领域，所述材料的化学组成为：Li(Yb<subgt;0.2</subgt;Ho<subgt;0.2</subgt;Tm<subgt;0.2</subgt;In<subgt;0.2</subgt;Y<subgt;0.2</subgt;)SiO<subgt;4</subgt;，制备时的烧结温度为1060‑1140℃；本发明专利技术所提供的近零τ<subgt;f</subgt;的微波介电材料的τ<subgt;f</subgt;＝‑1.28ppm/℃，ε<subgt;r</subgt;＝9.1～9.8，Q×f＝15 700～20 100GHz；近零的τ<subgt;f</subgt;值能够提高制成的微波元器件的稳定性，可广泛应用于新一代无线移动通信及微波通信中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波电子陶瓷材料，尤其涉及一种基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料及其制备方法。

技术介绍

1、随着新一代无线通讯网络技术的革新，对微波元器件小型化和高稳定性提出了更高的要求。由于低延迟(时间延迟)、大带宽和5g技术的高速数据传输等主要特点，具有低介电常数(εr)、高品质因数(q×f)的新型微波介质材料有待进一步探索。更重要的是，接近零的谐振频率温度系数(τf)对于确保设备的运行稳定性至关重要。硅酸盐以其高q×f值和低εr值而闻名。而大多数硅酸盐由于结构问题导致它们的τf值比较差，在很大程度上限制了硅酸盐在实际中的应用。以橄榄石结构的mg2sio4为例，mg2sio4的q×f值可高达240000ghz，而其较差的τf值(-67ppm/℃)使其在实际应用中受到了很大限制。因此，如何改善硅酸盐的τf值是一个亟待解决的问题。

2、在2004年，yeh等提出了高熵合金的概念，高熵合金与传统的合金相比具有许多新的优点。随着高熵合金技术的日趋成熟，高熵这一概念逐渐被应用于其他领域，如高熵陶瓷。2015年，rost等制备了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料，其特征在于，所述材料的化学组成为：

2.根据权利要求1所述的基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料，其特征在于，制备时的烧结温度为1060～1100℃。

3.权利要求1或2所述的基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中，均以氧化锆球作为磨球，以去离子水作为球磨介质。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，造粒时加入...

【技术特征摘要】

1.一种基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料，其特征在于，所述材料的化学组成为：

2.根据权利要求1所述的基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料，其特征在于，制备时的烧结温度为1060～1100℃。

3.权利要求1或2所述的基于氧八面体畸变调控实现温度稳定性的高熵硅酸盐微波介电材料的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

【专利技术属性】
技术研发人员：赖元明，张林侨，向平文，刘枫，
申请(专利权)人：成都理工大学，
类型：发明
国别省市：