【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶圆冷却，具体为一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台。
技术介绍
1、半导体晶圆是用于制造半导体器件的基础材料。它通常采用单晶硅或其他半导体材料，如砷化镓或碳化硅等。晶圆具有圆盘状的形态，通常直径为4英寸到12英寸，厚度约为几百微米到几毫米，在半导体制造过程中，晶圆扮演着重要的角色。它作为半导体器件的基底，提供了一个稳定的平台，以在其表面上构建电子元件和电路，晶圆的制备过程包括多个步骤，如晶体生长、切割、抛光和清洗等，晶圆的制备通常从单晶生长开始，通过熔融和凝固的过程，使半导体材料形成大尺寸的单晶。然后，单晶材料经过切割和抛光，形成圆形的晶圆片。抛光过程使得晶圆的表面非常平坦和光滑，以便后续的工艺步骤，制备好的晶圆上可以进行各种半导体工艺步骤，如清洗、掺杂、沉积薄膜、光刻、蚀刻等。这些工艺步骤逐渐在晶圆表面形成电子元件和电路结构，从而构建出各种半导体器件，如晶体管、二极管、集成电路等，半导体晶圆在制造过程中需要进行冷却处理，为了控制温度并确保晶圆的质量和性能，涉及到气相反应、沉积或退火等步骤，通过冷却晶圆，可以降低...
【技术保护点】
1.一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台，其特征在于：包括冷却平台、调节式承载环、气动式密封组件和氮气冷却机构，所述冷却平台包括台体(1)、储气罐(2)、泵体(3)、输气管(4)和控制台(5)，所述台体(1)的顶部开设有冷却腔(6)且底部与储气罐(2)相连接，所述泵体(3)安装于储气罐(2)的一侧，所述泵体(3)的抽气端通过管道与储气罐(2)相连接且出气端通过输气管(4)与氮气冷却机构相连接，所述控制台(5)位于台体(1)的一侧，所述调节式承载环安装于冷却腔(6)内且包括环体(7)和对称设置于环体(7)内的两组调节支撑器(8)，所述气动式密封组件安装于调节式承载环的...
【技术特征摘要】
1.一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台，其特征在于：包括冷却平台、调节式承载环、气动式密封组件和氮气冷却机构，所述冷却平台包括台体(1)、储气罐(2)、泵体(3)、输气管(4)和控制台(5)，所述台体(1)的顶部开设有冷却腔(6)且底部与储气罐(2)相连接，所述泵体(3)安装于储气罐(2)的一侧，所述泵体(3)的抽气端通过管道与储气罐(2)相连接且出气端通过输气管(4)与氮气冷却机构相连接，所述控制台(5)位于台体(1)的一侧，所述调节式承载环安装于冷却腔(6)内且包括环体(7)和对称设置于环体(7)内的两组调节支撑器(8)，所述气动式密封组件安装于调节式承载环的上方，所述气动式密封组件包括形变气密环(9)和通过管道与形变气密环(9)相连接的气泵(10)，所述氮气冷却机构位于调节式承载环的下方且包括导向板(11)、牵引器(12)、移动板(13)和冷却喷管(14)，所述导向板(11)的两端固定于冷却腔(6)的内壁上且中部开设有滑槽(15)，所述牵引器(12)分设有两组且对称安装于导向板(11)的两端，所述牵引器(12)连接有滑块(16)，所述滑块(16)滑动设置于滑槽(15)内且上端与移动板(13)相连接，两组所述移动板(13)对称设置且之间通过若干组冷却喷管(14)相连接，若干组所述冷却喷管(14)均匀分布于半导体晶圆的正下方。
2.根据权利要求1所述的一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台，其特征在于：所述环体(7)的内部形成有环形内腔(17)，所述环形内腔(17)内设置有驱动电机(18)，所述驱动电机(18)的动力输出端安装有驱动齿轮(19)，所述驱动齿轮(19)的一侧设置有从动环(20)，所述从动环(20)的外围加工成型有若干组卡齿(21)，所述卡齿(21)与驱动齿轮(19)啮合。
3.根据权利要求2所述的一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台，其特征在于：所述调节支撑器(8)包括承载...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍秉国，翟杰，史伟，梁天宇，钦礼辉，李中秋，
申请(专利权)人：江苏润鹏半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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