【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所公开及要求保护的主题涉及一种在含过渡金属二硫化物及/或二硒化物的二维膜的生长期间原位生成h2s及/或h2se的方法。
技术介绍
1、对于用于半导体及电子应用的含过渡金属膜，化学气相沉积(cvd)及原子层沉积(ald)已用作用于产生用于半导体装置的薄膜的主要沉积技术。这些方法可通过含过渡金属化合物(前体)的化学反应实现保形膜(金属、金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物，及类似物)。该化学反应发生于可包括金属、金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、二氧化硅、氮化硅及其他表面的表面上。于cvd及ald中，前体分子于实现具有高保形性及低杂质的高品质膜中发挥关键作用。cvd及ald工艺中基板的温度是选择前体分子中重要的考虑。于150至500摄氏度(℃)范围内的较高基板温度促进较高膜生长速率。优选前体分子于此温度范围内必须稳定。该优选前体能够以液相递送至反应容器。前体的液相递送一般比固相前体对该反应容器提供更均匀的前体递送。
2、越来越多地使用cvd及ald工艺，因为其具有增强的组分控制、高膜均匀性及有效控制掺杂的优点。此外，cvd及al...
【技术保护点】
1.一种用于在基板上形成含过渡金属二硫化物及/或二硒化物的二维膜的方法，其包括在沉积腔室中原位产生H2S及H2Se中的一者或多者。
2.根据权利要求1的方法，其中该含过渡金属二硫化物及/或二硒化物的二维膜的形成包含化学气相沉积(CVD)工艺，该工艺包括以下步骤：
3.根据权利要求1的方法，其中该含过渡金属二硫化物及/或二硒化物的二维膜的形成包括热原子层沉积(ALD)工艺或类热ALD工艺，该工艺包括以下步骤：
4.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中R1、R2及R3中的各者不同。
5.根据权利要求1至3中任一项的方法，其...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于在基板上形成含过渡金属二硫化物及/或二硒化物的二维膜的方法，其包括在沉积腔室中原位产生h2s及h2se中的一者或多者。
2.根据权利要求1的方法，其中该含过渡金属二硫化物及/或二硒化物的二维膜的形成包含化学气相沉积(cvd)工艺，该工艺包括以下步骤：
3.根据权利要求1的方法，其中该含过渡金属二硫化物及/或二硒化物的二维膜的形成包括热原子层沉积(ald)工艺或类热ald工艺，该工艺包括以下步骤：
4.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的各者不同。
5.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的两者相同。
6.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的各者相同。
7.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者为氢。
8.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的两者或更多者为氢。
9.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的各者为氢。
10.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含c1-c6烷基、支链c3-c6烷基或c3-c6未经取代的环烷基。
11.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含c1-c6烷基。
12.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含支链c3-c6烷基。
13.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含c3-c6未经取代的环烷基。
14.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含选自以下的组的c1-c6烷基：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及己基。
15.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含甲基。
16.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含选自直链烯基及支链烯基的c2-c6烯基。
17.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含c2-c6直链烯基。
18.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含c2-c6支链烯基。
19.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含选自以下的组的c2-c6直链烯基：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、反-2-丁烯基、顺-2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、反-2-戊烯基、顺-2-戊烯基、反-3-戊烯基、顺-3-戊烯基及4-戊烯基。
20.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含选自以下的c2-c6支链烯基：异丁烯基、异戊烯基(isopentenyl)(2-甲基丁-1-烯基、3-甲基丁-1-烯基)及异戊烯基(isoamylenly)(2-甲基丁-2-烯基)。
21.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含c3-c6芳基。
22.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含c3-c6芳基，其为芳族基。
23.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含苯基。
24.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含苯甲基。
25.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含c2-c6炔基。
26.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中r1、r2及r3中的一者或多者包含选自以下的组的c2-c6炔基：乙炔基、丙炔基、炔丙基、丁-1-炔基、丁-2-炔基及丁-3-炔基。
27.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中(i)通过在该沉积腔室内使tms2s+nh3反应来原位产生该h2s。
28.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中(ii)通过在该沉积腔室内使tms2se+nh3反应来原位产生该h2se。
29.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中该nh3在(r1r2r3si)2s脉冲期间以约50sccm至约2000sccm流动。
30.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中该nh3在(r1r2r3si)2s脉冲期间以约100sccm至约1500sccm流动。
31.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中该nh3在(r1r2r3si)2s脉冲期间以约250sccm至约1250sccm流动。
32.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中该nh3在(r1r2r3si)2s脉冲期间以约500sccm至约1000sccm流动。
33.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中该nh3在(r1r2r3si)2se脉冲期间以约50sccm至约2000sccm流动。
34.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中该nh3在(r1r2r3si)2se脉冲期间以约100sccm至约1500sccm流动。
35.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中该nh3在(r1r2r3si)2se脉冲期间以约250sccm至约1250sccm流动。
36.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中该nh3在(r1r2r3si)2se脉冲期间以约500sccm至约1000sccm流动。
37.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中基板温度为约150℃至约650℃。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：M·米勒，R·樋口，T·恩戈，K·利塔奥，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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