水处理除氟剂及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及水处理除氟剂生产技术领域，具体为水处理除氟剂及其制备方法和应用。本发明专利技术针对半导体芯片制造蚀刻工艺产生的含氟、铜、铁离子的废水，通过添加特定的原料和采用合理的处理步骤，不仅能有效去除氟离子，还能兼顾铜、铁离子的去除或降低其对除氟的影响（特别是对经硫化钠这类专门去除铜、铁离子的去除剂简单处理后的废水），对特定水质的蚀刻废水具有很强的针对性和适用性；协同性好，兼具可操作性与灵活性，保证了处理效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及水处理除氟剂生产，具体为水处理除氟剂及其制备方法和应用。

技术介绍

1、在半导体芯片制造的蚀刻工艺里，蚀刻是去除光刻后晶圆表面不必要材料的关键环节。此过程常运用氢氟酸等含氟化学品蚀刻硅片氧化层，为精准把控蚀刻深度与形状，还会使用含铜、铁等金属离子的蚀刻液。这便致使蚀刻后清洗时产生含高浓度氟、铜、铁离子的废水。

2、现有除氟剂在处理这类蚀刻废水时，氟离子去除效果欠佳，尤其受铜、铁离子干扰显著。铜离子（cu2+）无论在氟离子含量高低的情形下，都能与氟离子发生络合反应，生成的络合物会阻碍氟离子与除氟剂的反应，进而降低氟离子的去除率。铁离子（fe3+）同样会与氟离子形成稳定络合物，严重干扰氟离子的沉淀或吸附去除流程，使氟离子难以被有效除去。

3、此外，蚀刻废水中的铜离子（cu2+）、铁离子（fe3+）等重金属离子，通常需借助特定方法单独去除，如果去除不彻底，铜离子和铁离子会与氟离子发生络合反应，生成的络合物会阻碍氟离子与除氟剂的反应，进而降低氟离子的去除率。现有技术多使用化学沉淀法，向废水中添加硫化钠或氢氧化钠等沉淀剂，铜离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种水处理除氟剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的水处理除氟剂的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）和步骤（2）中，各原料的重量份数为：氯化镧：10-15份；硫酸铈：6-12份；醋酸钇：7-10份、氯化镁：6-8份、氯化锌：4-6份、氟锆酸钾：5-7份，去离子水400-600份；掺杂铈的二氧化钛纳米管：35-42份；步骤（5）中，预处理后的活性氧化铝的添加量为中间产物质量的1.2-1.8倍；稀释陈化后的聚合氯化铝铁添加量为中间产物体积的0.6-1倍；微波处理后的羟基磷灰石负载铁的添加量为中间产物质量的0.2-0.3倍；过筛分级后的壳聚糖-膨...

【技术特征摘要】

1.一种水处理除氟剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的水处理除氟剂的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）和步骤（2）中，各原料的重量份数为：氯化镧：10-15份；硫酸铈：6-12份；醋酸钇：7-10份、氯化镁：6-8份、氯化锌：4-6份、氟锆酸钾：5-7份，去离子水400-600份；掺杂铈的二氧化钛纳米管：35-42份；步骤（5）中，预处理后的活性氧化铝的添加量为中间产物质量的1.2-1.8倍；稀释陈化后的聚合氯化铝铁添加量为中间产物体积的0.6-1倍；微波处理后的羟基磷灰石负载铁的添加量为中间产物质量的0.2-0.3倍；过筛分级后的壳聚糖-膨润土复合吸附剂负载铝铁的添加量为中间产物质量的0.15-0.25倍。

3.根据权利要求1所述的水处理除氟剂的制备方法，其特征在于，所述的氯化镧、硫酸铈、醋酸钇、氯化镁、氯化锌的纯度均大于等于99%，氟锆酸钾的纯度≥98%，预处理后的活性氧化铝的粒径为0.2-1mm，聚合氯化铝铁中al2o3含量为5%-7%。

4.根据权利要求1所述的水处理除氟剂的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾鹏翔，王瑚，赵志远，翟冲修，
申请(专利权)人：淄博致研环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：