一种载流子寿命控制的单真空舱晶圆质子辐照装置制造方法及图纸

技术编号：44510302 阅读：26 留言：0更新日期：2025-03-07 13:07

本发明专利技术涉及芯片制造技术领域，具体涉及一种载流子寿命控制的单真空舱晶圆质子辐照装置，该装置包括辐照真空舱舱体，辐照真空舱舱体左端设有辐照真空舱前舱门；圆真空辐照舱体其内腔左侧设有晶圆存储单元，其内腔右侧设有束流辐照单元，晶圆存储单元内储存有多盘晶圆托盘；所述辐照真空舱舱体的内腔中部还设有辐照传送机构，以用于将晶圆托盘从晶圆存储单元移运至束流辐照单元，以及将晶圆托盘从束流辐照单元移回至晶圆存储单元。本发明专利技术的有益效果是：能实现芯片局域载流子寿命控制的，实现辐照深度的精确控制，且精确度可达±1um，并实现了辐照过程的批量化、自动化，效率高，安全性高。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于芯片制造，特别涉及一种载流子寿命控制的单真空舱晶圆质子辐照装置。

技术介绍

1、以快恢复二极管(fastrecoverydiode,frd)与绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor,igbt)为代表的功率器件广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道牵引、工业变频等重要场合，有非常重要的战略意义与市场价值。frd广泛应用于功率电子中，一般与igbt反并联，为负载中的无功电流提供回路，减少电容的放电时间，同时抑制负载电流的瞬时反向引起的高感应电压。为了匹配越来越快的电路开关速度和越来越复杂的应用环境，frd必须满足开关速度快、静态和动态损耗低、反向恢复时间短和较好的软恢复特性等要求。

2、载流子寿命控制和器件结构优化是实现高性能frd关键技术。载流子寿命控制技术是降低反向恢复时间的关键技术之一，通过在器件的基区引入深能级产生复合中心，降低载流子的寿命，降低正向导通时基区的存储电荷总量，并加速反向关断时少数载流子的复合，进而降低反向恢复时间。载流子寿命控制技术根据引入的产...

【技术保护点】

1.一种载流子寿命控制的单真空舱晶圆质子辐照装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述单真空舱晶圆质子辐照装置，其特征在于：所述辐照传送机构包括晶圆托盘拉杆(18)，且晶圆托盘拉杆(18)可左右移动的安装在辐照真空舱舱体(8)内部；

3.根据权利要求2所述单真空舱晶圆质子辐照装置，其特征在于：所述束流辐照单元包括二维移动平台(19)和束流辐照系统；

4.根据权利要求3所述单真空舱晶圆质子辐照装置，其特征在于：所述束流辐照系统包括沿束流注入方向依次设置的束流辐照管道(11)、转动式法拉第筒(12)、可调束流光阑(17)。