包括考虑磷光体的激发光谱的UV LED的磷光体转换LED光源制造技术

技术编号:44501410 阅读:29 留言:0更新日期:2025-03-04 18:10
本发明专利技术提供了一种光生成系统(1000),该光生成系统包括(a)光生成器件(100)的多个集合(150)和(b)发光材料(200),其中光生成器件(100)以阵列(40)被配置;其中光生成器件(100)被配置为生成器件光(101);其中光生成器件(100)包括固态光源;其中光生成器件(100)的多个集合(150)包括光生成器件(100)的至少三个集合(50),其中不同集合中的光生成器件(100)在器件光(101)的峰值波长上相互不同,其中第一光生成器件(110)的第一集合被配置为提供具有在可见波长范围、特别是蓝色波长范围内的第一峰值波长(λ1)的第一器件光(111),第二光生成器件(120)的第二集合被配置为生成具有在UV波长范围内或在紫色波长范围内的第二峰值波长(λ2)的第二器件光(121),第三光生成器件(130)的第三集合被配置为生成具有在UV波长范围内或在紫色波长范围内的第三峰值波长(λ3)的第三器件光(131);其中发光材料(200)被配置在光生成器件(100)的阵列(40)的下游;其中发光材料(200)被配置为将第一器件光(101)的至少一部分转换为发光材料光(201);并且其中发光材料(200)被配置为将第二器件光的至少一部分和/或第三器件光(101)的至少一部分转换为发光材料光(201);其中发光材料(200)在不同峰值波长(λ1,λ2,λ3)处具有不同激发强度;其中至少三个集合(50)中的光生成器件(100)针对不同峰值波长处的不同激发强度根据发光材料(200)的激发强度的增加或减小来配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于生成光的系统。本专利技术还涉及一种照明设备。


技术介绍

1、波长转换照明系统在本领域中是已知的。例如,us20190139943a1描述了一种照明设备,第一组至少一个第一固态发射器,每个第一固态发射器包括第一发光二极管(“led”),当被激发时,该第一led发射具有在约440nm到约475nm之间的范围内的峰值波长的光,以及第二组至少一个第二固态发射器,每个第二固态发射器包括第二led,当被激发时,该第二led发射具有在约390nm到约415nm之间的范围内的峰值波长的光。

2、us11006493b公开了一种照明系统,该系统将uv-a和白光与可调节的cct值相结合,从而减轻了来自uv-a辐射的任何不利影响。该设备对非uv led的输出进行了可调谐调节,从而产生了符合目标cct值的整体混合输出。

3、wo2017/131715a1公开了一种用于生成具有可控昼夜节律能量性能的可调白光的装置。多个led串生成具有落在蓝色、黄色/绿色、红色和青色范围内的色点的光,每个led串由单独可控的驱动电流驱动,以调谐所生成的光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光生成系统(1000),包括(a)光生成器件(100)的多个集合(150)和(b)发光材料(200),所述发光材料被配置为生成可见光,其中:

2.根据权利要求1所述的光生成系统(1000),其中所述第二光生成器件(120)的第二集合被配置为生成具有在380nm至440nm的紫色波长范围内的第二峰值波长(λ2)的第二器件光(121),并且所述第三光生成器件(130)的第三集合被配置为生成具有在UV波长范围内的第三峰值波长(λ3)的第三器件光(131)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光生成系统(1000),其中所述光生成器件(100)和所述发光材料(20...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光生成系统(1000),包括(a)光生成器件(100)的多个集合(150)和(b)发光材料(200),所述发光材料被配置为生成可见光,其中:

2.根据权利要求1所述的光生成系统(1000),其中所述第二光生成器件(120)的第二集合被配置为生成具有在380nm至440nm的紫色波长范围内的第二峰值波长(λ2)的第二器件光(121),并且所述第三光生成器件(130)的第三集合被配置为生成具有在uv波长范围内的第三峰值波长(λ3)的第三器件光(131)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光生成系统(1000),其中所述光生成器件(100)和所述发光材料(200)被配置为使得第一器件光(111)的至少一部分被所述发光材料(200)透射。

4.根据前述权利要求中任一项所述的光生成系统(1000),其中所述发光材料(200)针对所述第一器件光(111)具有相对最高的激发强度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光生成系统(1000),其中所述阵列(40)包括核心阵列部分(61)和外围阵列部分(62),所述核心阵列部分包括所述光生成器件(100)的总数的x1%,所述外围阵列部分包括所述光生成器件(100)的总数的x2%,其中所述光生成器件(100)中的所述发光材料(200)针对光生成器件的器件光(101)的峰值波长具有相对更低的激发强度的大部分光生成器件被配置在所述外围阵列部分(62)中,并且其中所述光生成器件(100)中的所述发光材料(200)针对光生成器件的器件光(101)的峰值波长具有相对更高的激发强度的大部分光生成器件被配置在所述核心阵列部分(61)中;其中x1%选自5%至95%的范围,其中x2%选自5%至95%的范围,并且其中x1%+x2%=100%。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光生成系统(1000),其中光生成器件的两个集合诸如处于对称布置、如同心布置或线性bn2an1bn2布置,其中a是指第一类型的光生成器件,如第一光生成器件,并且n1≥1,并且b是指第二类型的光生成器件,诸如第二光生成器件,其中n2≥1,并且其中在特定实施例中,n1>n2。

7.根据前述权利要求中任一项所述的光生成系统(1000),其中:

8.根据前述权利要求中任一项所述的光生成系统(1000),其中(i)所述光生成器件(100)的至少三个不同集合(50)中的至少一个集合被配置为生成具有在选自uv-a辐射、uv-b辐射和近uv-c辐射的组的波长范围内的峰值波长的辐射,以及(ii)所述光生成器件(100)的至少三个不同集合(50)中...

【专利技术属性】
技术研发人员:T·范博梅尔R·A·M·希克梅特
申请(专利权)人:昕诺飞控股有限公司
类型:发明
国别省市:

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