【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高性能聚醚醚酮板及其制备方法,属于半导体制造的。
技术介绍
1、半导体硅片是半导体制造的核心材料,它的生产加工涉及精密抛光、研磨、蚀刻、清洗等工序,这个过程中需要用到一些高纯度化学品,比如氢氟酸(hf)、氯化氢(hci)、氢氧化钠(naoh)等强酸、强碱,从而对加工配件、管路输送储存的材料提出了耐腐蚀、耐化学品的超高要求,而氟聚合物是唯一可以容纳和运输制造过程中使用的高纯度化学品的材料,实现半导体制造需要的极高稳定性和纯度。
2、现有技术直接使用氟材料进行注塑、挤出、模压等形式成型,多使用氟树脂型材加工成半导体生产过程中所需的各种零部件。现有技术中对氟树脂的使用量还是非常巨大的。
3、聚醚醚酮材料,以其卓越的机械性能、化学稳定性和热稳定性而著称,在半导体行业应用也较为广泛,但是在一些特殊的化学环境下,氟塑料的作用不可代替,特别是极端化学环境的耐受性、高纯度保持需要耐高温、耐化学腐蚀等特性。因此我们选取peek材料作为基材,在其上喷涂氟树脂。所生产的型材既能满足半导体加工环节中的特性要求又能有效降
...【技术保护点】
1.一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于,包括以下重量份数的组分:
2.根据权利要求1所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于:所述碳纳米管和石墨烯纳米片分别通过聚苯胺或聚吡咯进行包覆。
3.根据权利要求2所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于:所述包覆过程中混入磁性粉末,所述磁性粉末为铁氧体粉末、钴铁氧化物粉末或纳米铁粉;所述磁性粉末的平均粒径为100纳米至500纳米。
4.根据权利要求3所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于:所述聚醚醚酮板在熔融混炼过程中施加外部磁场。
5.根据权利要求3所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征
...【技术特征摘要】
1.一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于,包括以下重量份数的组分:
2.根据权利要求1所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于:所述碳纳米管和石墨烯纳米片分别通过聚苯胺或聚吡咯进行包覆。
3.根据权利要求2所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于:所述包覆过程中混入磁性粉末,所述磁性粉末为铁氧体粉末、钴铁氧化物粉末或纳米铁粉;所述磁性粉末的平均粒径为100纳米至500纳米。
4.根据权利要求3所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于:所述聚醚醚酮板在熔融混炼过程中施加外部磁场。
5.根据权利要求3所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于:所述外部磁场的强度为0.5~2特斯拉。
6.根据权利要求3所述的一种高性能聚醚醚酮板,其特征在于:所述包覆步骤具体如下...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭学凡,任高,
申请(专利权)人:上海雪枫精密机械有限公司,
类型:发明
国别省市:
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