【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件测试,具体涉及一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统。
技术介绍
1、以氮化镓(gan)为代表的第三代半导体材料由于其宽禁带宽度、高击穿电场、高导热率、大电子饱和速度以及优异的抗辐射能力,在高频、高功率密度领域具有重要的应用前景。然而,在辐照环境中,这些器件的电学性能会受到辐射效应的影响,导致性能退化甚至器件失效。
2、半导体器件的雪崩和浪涌特性是其安全运行的重要指标。雪崩特性测试可以用于评估器件在过电压条件下的性能,而浪涌测试则用于评估器件在瞬态高电流冲击下的稳定性。针对这两种测试,传统的实验系统通常分别独立构建,这不仅增加了测试成本,也降低了测试效率。因此,设计一种可同时测试雪崩和浪涌特性且适用于辐照环境的实验系统显得尤为重要。
技术实现思路
1、本专利技术提出了一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统,以解决现有的测试系统难以在辐照环境下同时测试雪崩和浪涌特性的技术问题。
2、为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种辐照环境下测量器件
...【技术保护点】
1.一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统,其特征在于:包括触发单元、雪崩测试单元、浪涌测试单元、控制信号处理单元、自检比较单元、判定单元和辐照保护单元;
2.根据权利要求1所述的一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统,其特征在于:所述雪崩测试单元包括电源、示波器和雪崩测试电路,所述雪崩测试电路通过第一通道与触发单元连接,通过第二通道、第三通道和第四通道分别连接待测半导体器件的G端、D端和S端,其中第一通道用于触发雪崩测试信号,第二通道、第三通道和第四通道用于将测试信号输入至待测器件。
3.根据权利要求2所述的一种辐照环境下测量器件电学特性
...【技术特征摘要】
1.一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统,其特征在于:包括触发单元、雪崩测试单元、浪涌测试单元、控制信号处理单元、自检比较单元、判定单元和辐照保护单元;
2.根据权利要求1所述的一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统,其特征在于:所述雪崩测试单元包括电源、示波器和雪崩测试电路,所述雪崩测试电路通过第一通道与触发单元连接,通过第二通道、第三通道和第四通道分别连接待测半导体器件的g端、d端和s端,其中第一通道用于触发雪崩测试信号,第二通道、第三通道和第四通道用于将测试信号输入至待测器件。
3.根据权利要求2所述的一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统,其特征在于:所述雪崩测试电路包括保护电路、控制电路和测试电路,其中保护电路用于保护待测器件免受高电流损害,控制电路用于发出自检信号并将自检结果传输至自检比较单元,测试电路执行雪崩测试操作。
4.根据权利要求3所述的一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统,其特征在于:所述浪涌测试单元包括电源、示波器和浪涌测试电路,浪涌测试电路通过第五通道与触发单元连接,通过第六通道、第七通道和第八通道分别连接待测半导体器件的g端、d端和s端,其中第五通道用于触发浪涌测试信号,第六通道、第七通道和第八通道用于将测试信号输入至待测器件。
5.根据权利要求4所述的一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统,其特征在于:所述浪涌测试电路包括保护电路、控制电路和测试电路,其中保护电路用于保护待测器件免受过高电流损害,控制电路用于发出自检信号并将自检结果传输至自检比较单元,测试电路执行浪涌测试操作。
6.根据权利要求5所述的一种辐照...
【专利技术属性】
技术研发人员:周峰,李宇哲,罗中易,张致远,郑昌锐,陆海,
申请(专利权)人:南京大学,
类型:发明
国别省市:
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