一种MEMS谐振器的振荡电路制造技术

本发明专利技术提供一种MEMS谐振器的振荡电路，其中：通过偏置电路为主振荡器核心电路提供PMOS交叉耦合对管的直流偏置电压和尾电流源偏置电压；因此主振荡器核心电路中的各个支路可以仅串联有三个晶体管，三个晶体管即可实现主振荡器核心电路产生振荡正弦波信号的功能，无需堆叠较多的晶体管；串联晶体管的数量较少，主振荡器核心电路的工作电压相应降低，主振荡器核心电路能够在低电源电压环境工作，降低主振荡器核心电路的功耗，也即本申请提供的MEMS谐振器的振荡电路能够在保证低相噪且提供相同负阻的前提下，减小晶体管堆叠，降低电源电压，从而降低振荡器的功耗，提高振荡器的品质因数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电力电子，更具体的说，尤其涉及一种mems谐振器的振荡电路。

技术介绍

1、随着便携式设备、物联网和可穿戴技术的蓬勃发展，电池续航和能效已成为衡量电子设备性能的关键指标。在这些设备中，振荡器作为集成电路的重要组成部分，其性能直接影响整个系统的稳定性和能效。因此，如何降低振荡器的功耗，同时保持低相位噪声和稳定频率，成为当前研究的热点。

2、传统上，lc振荡器被广泛用于各种电子设备中。然而，随着技术的进步和应用需求的变化，mems振荡器逐渐崭露头角。mems振荡器利用微机械谐振器作为频率决定元件，与lc振荡器相比，具有在相同功耗下提供更低的相位噪声和更稳定频率的显著优势。这些特点使得mems振荡器在无线通信、传感器网络和消费电子产品等领域具有广阔的应用前景。

3、为了降低功耗，基于mems谐振器的振荡器通常采用互补交叉耦合结构。这种结构通过交叉耦合的方式引入正反馈，从而在不增加电流的前提下增大整体的小信号增益，降低起振功耗。然而，这种结构受限于晶体管堆叠效应，导致输出摆幅减小，且工作电压通常在1v以上，这限制了振荡器在低电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS谐振器的振荡电路，其特征在于，包括：主振荡器核心电路(101)和偏置电路(102)；

2.根据权利要求1所述的MEMS谐振器的振荡电路，其特征在于，所述主振荡器核心电路(101)中的两个支路上各个开关构成三组开关组；

3.根据权利要求2所述的MEMS谐振器的振荡电路，其特征在于，第一开关组包括：第一PMOS晶体管(MP1)和第二PMOS晶体管(MP2)；

4.根据权利要求2所述的MEMS谐振器的振荡电路，其特征在于，第二开关组包括：第一NMOS晶体管(MN1)和第二NMOS晶体管(MN2)；

5.根据权利要求2所述的MEMS...

【技术特征摘要】

1.一种mems谐振器的振荡电路，其特征在于，包括：主振荡器核心电路(101)和偏置电路(102)；

2.根据权利要求1所述的mems谐振器的振荡电路，其特征在于，所述主振荡器核心电路(101)中的两个支路上各个开关构成三组开关组；

3.根据权利要求2所述的mems谐振器的振荡电路，其特征在于，第一开关组包括：第一pmos晶体管(mp1)和第二pmos晶体管(mp2)；

4.根据权利要求2所述的mems谐振器的振荡电路，其特征在于，第二开关组包括：第一nmos晶体管(mn1)和第二nmos晶体管(mn2)；

5.根据权利要求2所述的mems谐振器的振荡电路，其特征在于，第三开关组包括：第三nmos晶体管(mn3)和第四nmos晶体管(mn4)；

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【专利技术属性】
技术研发人员：左成杰，袁颖，崔新惠，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：