【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种半导体晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体晶体管，其中，所有源极区电连接在一起。
3.根据权利要求2所述的半导体晶体管，其中，所有栅极区电连接在一起。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体晶体管，其中，所述多个栅极区的数量等于所述多个源极区的数量以形成多个栅极-源极对，每个栅极-源极对包括栅极区和在所述栅极区的相对于所述漏极区的远侧上的相邻源极区。
5.根据权利要求4所述的半导体晶体管，其中，所述晶体管的总内置内部栅极-源极电容CGS是所述栅极-源极对的数量的递增函数。
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体晶体管，其中，所有源极区电连接在一起。
3.根据权利要求2所述的半导体晶体管，其中，所有栅极区电连接在一起。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体晶体管，其中，所述多个栅极区的数量等于所述多个源极区的数量以形成多个栅极-源极对，每个栅极-源极对包括栅极区和在所述栅极区的相对于所述漏极区的远侧上的相邻源极区。
5.根据权利要求4所述的半导体晶体管，其中，所述晶体管的总内置内部栅极-源极电容cgs是所述栅极-源极对的数量的递增函数。
6.根据权利要求5所述的半导体晶体管，其中，至少两个栅极-源极对具有不同的横向范围。
7.根据权利要求5或权利要求6所述的半导体晶体管，其中，对于所述多个栅极-源极对中的至少两个栅极-源极对，源极区和栅极区之间的距离不同。
8.根据权利要求5或权利要求6所述的半导体晶体管，其中，对于所述多个栅极-源极对中的所有栅极-源极对，所述栅极区和所述源极区之间的距离相同。
9.根据权利要求8所述的半导体晶体管，...
【专利技术属性】
技术研发人员：瓦列里·韦普林斯基，尤利娅·罗伊特尔，丹尼尔·谢尔曼，
申请(专利权)人：威电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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