氟化化合物、可光聚合组合物、全息图记录介质、其制备方法及包括其的光学元件技术

技术编号:44445698 阅读:15 留言:0更新日期:2025-02-28 18:52
本发明专利技术涉及氟化化合物、可光聚合组合物、全息图记录介质、其制备方法以及包括其的光学元件。所述氟化化合物包含在可光聚合组合物中,从而能够提供不仅具有优异的光学记录特性而且还表现出透明的光学特性并且即使在高温和高湿度环境中也表现出优异的可靠性的全息图记录介质以及包括其的光学元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

相关申请的交叉引用本申请要求于2022年11月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0146091号的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及氟化化合物、可光聚合组合物、全息图记录介质、其制备方法以及包括其的光学元件。


技术介绍

1、全息图记录介质通过经由曝光过程改变介质中全息记录层的折射率来记录信息,读取由此记录的介质中折射率的变化,并再现信息。

2、在这方面,光聚合物组合物可以用于制备全息图。光聚合物通过光反应性单体的光聚合可以容易地将光干涉图案存储为全息图。因此,光聚合物可以用于各种领域,例如智能设备如移动设备、可穿戴显示器部件、车辆制品(例如,平视显示器)、全息指纹识别系统、光学透镜、反射镜、偏转镜、滤波器、漫射屏、衍射元件、光导、波导、具有投影屏和/或掩模功能的全息光学元件、光学存储系统和光漫射板的介质、光波长复用器、反射型、透射型滤色器等。

3、具体地,用于制备全息图的光聚合物组合物包含聚合物基体、光反应性单体和光引发剂体系,并且将由这样的组合物制备的光聚合物层用激光干涉光照射以引起局部单体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种由以下化学式1表示的氟化化合物:

2.根据权利要求1所述的氟化化合物,其中化学式1中的R1为含氟取代基。

3.根据权利要求1所述的氟化化合物,其中所述含氟取代基为经2个或更多个氟取代的具有1至20个碳原子的直链烷基、经2个或更多个氟取代的具有3至12个碳原子的环烷基、或者经2个或更多个氟取代的具有6至14个碳原子的芳基。

4.根据权利要求1所述的氟化化合物,其中所述含氟取代基为-(CH2)a(CF2)bCHF2、-(CH2)a(CF2)bCF3、或十氟环己基,a为0至3的整数,以及b为0至19的整数。

5.根据权利要求1所述的氟化化...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种由以下化学式1表示的氟化化合物:

2.根据权利要求1所述的氟化化合物,其中化学式1中的r1为含氟取代基。

3.根据权利要求1所述的氟化化合物,其中所述含氟取代基为经2个或更多个氟取代的具有1至20个碳原子的直链烷基、经2个或更多个氟取代的具有3至12个碳原子的环烷基、或者经2个或更多个氟取代的具有6至14个碳原子的芳基。

4.根据权利要求1所述的氟化化合物,其中所述含氟取代基为-(ch2)a(cf2)bchf2、-(ch2)a(cf2)bcf3、或十氟环己基,a为0至3的整数,以及b为0至19的整数。

5.根据权利要求1所述的氟化化合物,其中当化学式1中的r1至r4不为含氟取代基时,r1至r4各自独立地为具有1至6个碳原子的直链烷基、具有3至10个碳原子的环烷基、具有4至12个...

【专利技术属性】
技术研发人员:文相弼宋哲俊李浩勇李仁圭洪喆奭李汉娜郑顺和
申请(专利权)人:株式会社LG化学
类型:发明
国别省市:

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