当前位置: 首页 > 专利查询>盐城工学院专利>正文

一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法技术

技术编号:44437545 阅读:62 留言:0更新日期:2025-02-28 18:47
本发明专利技术公开了一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法,包括以下步骤:(1)对多晶铜箔进行预处理;(2)将预处理后的多晶铜箔放于耐高温衬底,随后整体结构平稳地将其推进管式炉中;(3)检测管式炉的气密性;(4)洗气,向管式炉注入还原气体,以确保管式炉内的氧气被彻底清洗干净;(5)向管式炉中持续通入还原气体,将铜箔加热至表面熔化温度,保持10至30min,随后降温至退火温度,保温,保温阶段结束后铜箔将随炉自然冷却至室温,即得。通过热处理促进晶格的旋转和晶界的迁移,从而得到暴露吉布斯自由能最低的晶面的单晶铜箔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶铜箔的制备,具体涉及一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法


技术介绍

1、单晶材料是一种优良的功能材料,由于其光滑的无晶界表面和强各向异性,表现出特殊的物理、化学及光学性质。单晶铜箔是由一个晶粒构成的自支撑二维铜晶体薄膜,它的导电性、导热性和机械性能都得到了显著提升。单晶铜具有较高的导电性能,热传导性能和良好的可焊性。单晶铜线相比普通铜线能够提高约10%的导电性,可以在电子设备中发挥重要作用。此外,单晶材料的结构中,电子在单晶材料中可以更容易地通过,散射较少,电阻率较低。电缆线采用单晶铜做线芯,单晶铜材电阻比普通铜材低8%到13%,且韧性极高,普通铜材扭转16圈即断,单晶铜材可扭转116圈。在高保真音频视频线领域,各种音频视频信号在传输过程中通过晶界时,都会产生反射、折射等现象使信号变形、失真衰减,单晶铜极少的晶界或无晶界使传输质量得到根本改善。重要的是近几年研究发现原子级平整单晶铜箔拥有均匀的表面取向和一定的催化作用,故常被用作一些二维材料的生长衬底(如石墨烯、h-bn)及表面催化研究材料。

2、单晶制备常规方法有两种,单晶提拉本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的廉价、简易制备单晶铜箔的方法,其特征在于,步骤(1)对多晶铜箔进行预处理具体操作为:首先用丙酮、酒精先后进行超声清洗,随后利用自动磨抛机,倒入配套抛光液均匀分布在磨盘上,转速100rpm,顺时针,打磨5-15s,利用去离子水进行冲洗,以去除所有残留物质;最后用氮气将铜箔吹干,确保其表面洁净无水分。

3.根据权利要求1所述的廉价、简易制备单晶铜箔的方法,其特征在于,步骤(2)中耐高温衬底为石英片或氧化铝陶瓷片。

4.根据权利要求1所述的廉价、简易制备单晶铜箔的方法,...

【技术特征摘要】

1.一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的廉价、简易制备单晶铜箔的方法,其特征在于,步骤(1)对多晶铜箔进行预处理具体操作为:首先用丙酮、酒精先后进行超声清洗,随后利用自动磨抛机,倒入配套抛光液均匀分布在磨盘上,转速100rpm,顺时针,打磨5-15s,利用去离子水进行冲洗,以去除所有残留物质;最后用氮气将铜箔吹干,确保其表面洁净无水分。

3.根据权利要求1所述的廉价、简易制备单晶铜箔的方法,其特征在于,步骤(2)中耐高温衬底为石英片或氧化铝陶瓷片。

4.根据权利要求1所述的廉价、简易制备单晶铜箔的方法,其特征在于,步骤(2)中整体结构在管式炉中推离主温区1.5-3cm。

5.根据权利要求4所述的廉价、简易制备单晶铜箔的方法,其特征在于,当制备30μm...

【专利技术属性】
技术研发人员:张勤芳霍占跃
申请(专利权)人:盐城工学院
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1