一种保护设定调节方法、系统、设备及存储介质技术方案

本发明专利技术实施例涉及过热保护技术领域，公开了一种保护设定调节方法、系统、设备及存储介质。本发明专利技术中，通过根据三相电流的电流值的大小关系进行判断，从而确定当前的工况是否符合需要调整温度保护触发的工况；并且，进一步根据MOS的温度是否达到调整后的温度保护触发条件，从而实现温度保护的触发，即，本申请通过根据三相电流的电流值来确定当前的工况是否需要对温度保护的触发条件进行调整，再进一步根据实际的MOS温度的条件来判断是否触发温度保护，使得温度保护的触发条件动态贴合实际的工况需求，从而提高温度保护触发的灵活性，使温度保护的触发更及时，有效避免MOS损伤，提高设备使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及过热保护，特别涉及一种保护设定调节方法、系统、设备及存储介质。

技术介绍

1、在现代设备中，金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor，mosfet)作为一种重要的开关元件，因其高效率、快速开关特性和良好的线性控制能力，广泛应用于电源管理、马达驱动、信号放大和各种类模拟电路等领域。随着技术的进步和应用需求的不断增加，mos的工作频率和功率水平持续提升，其在高功耗、高频率条件下的性能与稳定性尤为重要。然而，由于mos在工作时不可避免地会产生热量，若不能有效地进行过热管理，这些热量将导致器件温度升高，将导致器件温度迅速上升，可能引发传输特性劣化、功率损失增加，甚至导致器件的永久性损坏。过热不仅会影响mos的正常工作，还可能对整个设备系统的安全性构成威胁。因此，实施有效的过热保护策略显得尤为重要，以确保mos在各种工况下的稳定性与可靠性，提升电子产品的整体性能与使用寿命。

2、相关技术中实现过热保护的方式通常在印制电路板(printed circu本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种保护设定调节方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的保护设定调节方法，其特征在于，所述第一预设条件包括：

3.根据权利要求2所述的保护设定调节方法，其特征在于，所述设备的启动保护参数值，包括所述设备的启动尖峰电压和/或所述设备的启动尖峰电流。

4.根据权利要求1所述的保护设定调节方法，其特征在于，所述第二预设条件包括：温度变化率达到预设阈值；所述温度变化率为所述MOS温度与预设温度值的差值。

5.根据权利要求4所述的保护设定调节方法，其特征在于，所述第二预设条件还包括：所述MOS温度达到最大温度阈值；

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【技术特征摘要】

1.一种保护设定调节方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的保护设定调节方法，其特征在于，所述第一预设条件包括：

3.根据权利要求2所述的保护设定调节方法，其特征在于，所述设备的启动保护参数值，包括所述设备的启动尖峰电压和/或所述设备的启动尖峰电流。

4.根据权利要求1所述的保护设定调节方法，其特征在于，所述第二预设条件包括：温度变化率达到预设阈值；所述温度变化率为所述mos温度与预设温度值的差值。

5.根据权利要求4所述的保护设定调节方法，其特征在于，所述第二预设条件还包括：所述mos温度达到最大温度阈值；

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金艳，
申请(专利权)人：江苏东成工具科技有限公司，
类型：发明
国别省市：