【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种激光退火装置等。
技术介绍
1、专利文献1中公开了一种对半导体晶圆照射激光装置所振荡出的激光的激光退火技术。在以形成极浅的pn结为目的的本技术中，通过照射不让半导体晶圆熔融的强度的激光，使添加到半导体晶圆的表面正下方的掺杂剂活化。并且，通过随后的“低温快速热退火”，半导体晶圆的结晶损伤得以修复。
2、以往技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特表2003-528462号公报
5、专利文献2：日本特开2013-258288号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、在激光退火中，不同于专利文献1，通常，通过使半导体晶圆的表面熔融来修复因掺杂剂的离子注入引起的损伤。如此，激光退火具有通过半导体晶圆的表面熔融实现的修复损伤和注入于半导体晶圆内的掺杂剂的活化这两种不同的作用。如专利文献2所公开，为了有效地实现表面熔融及表面下方的活化，需要多种不同方式的激光，通常需要准备多种不同的激光装置。
...
【技术保护点】
1.一种激光退火装置，其特征在于，执行如下步骤：
2.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光退火装置，其特征在于，
5.一种激光退火方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.一种激光退火程序，其使计算机执行如下步骤：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种激光退火装置，其特征在于，执行如下步骤：
2.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：万雅史，冈田康弘，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。