一种改善500KV隔离开关VFTO的结构制造技术

技术编号:44432408 阅读:18 留言:0更新日期:2025-02-28 18:44
本技术提供一种改善500KV隔离开关VFTO的结构,包括:壳体,静态触头本体,静态触头本体设置于壳体的一侧,静态触头本体的内部设置有第一触头,动态触头本体,动态触头本体设置于壳体的内部,动态触头本体的内部设置于有第二触头。本技术提供一种改善500KV隔离开关VFTO的结构,通过动态触头本体向一侧进行移动带动着第二触头与静态触头本体的第一触头挤出后进行使用,而将触头两端的连接由插入式改为接触式,从而使动触头曲率降低,使电场强度下降,有利于熄灭电弧。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及隔离开关领域,尤其涉及一种改善500kv隔离开关vfto的结构。


技术介绍

1、隔离开关是一种主要用于“隔离电源、倒闸操作、用以连通和切断小电流电路”,无灭弧功能的开关器件,隔离开关在分位置时,触头间有符合规定要求的绝缘距离和明显的断开标志,在合位置时,能承载正常回路条件下的电流及在规定时间内异常条件下的电流的开关设备。

2、隔离开关动作较慢,在关合、开断小电容电流的操作过程中,会发生数十次甚至上百次的重燃,造成阶跃电压行波反射和折射分量不断叠加,形成陡波头、高频率的陡波前过电压,陡波前过电压分为内部暂态和外部暂态,前者俗称特快速暂态过电压,可能引发主绝缘击穿、引起对地短路、变压器主绝缘破坏等事故,当vfto以行波方式传播至套管,形成外部暂态,可能危害二次设备和相邻高压设备,当前触头电场强度较大,不易灭弧,动触头部分移动过程中,电弧从断口弧触头移动到屏蔽罩,移动到屏蔽罩的电弧产生高电场,并引起接地击穿。

3、因此,有必要提供一种改善500kv隔离开关vfto的结构解决上述技术问题。


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【技术保护点】

1.一种改善500KV隔离开关VFTO的结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种改善500KV隔离开关VFTO的结构,其特征在于,两个所述滑动块的一端分别固定连接于限位块的顶部和底部。

3.根据权利要求1所述的一种改善500KV隔离开关VFTO的结构,其特征在于,所述限位套的内部设置有定位件,所述定位件包括定位孔,所述定位孔的内部螺纹连接有定位销。

【技术特征摘要】

1.一种改善500kv隔离开关vfto的结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种改善500kv隔离开关vfto的结构,其特征在于,两个所述滑动块的一端分别固定连接于限位...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯俊宏李盘彭彦杰曾明阳
申请(专利权)人:嘉陵江亭子口水利水电开发有限公司
类型:新型
国别省市:

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