掺杂剂补充装置制造方法及图纸

技术编号:44431043 阅读:18 留言:0更新日期:2025-02-28 18:43
本技术提供了一种掺杂剂补充装置。掺杂剂补充装置包括:导向筒,导向筒具有容纳腔以及与容纳腔连通的加料开口;加料杆组件,加料杆组件的至少一部分设置在容纳腔内,且加料杆组件的一端由加料开口伸出容纳腔;驱动组件,驱动组件的至少一部分设置在导向筒的外部,驱动组件的至少另一部分伸入容纳腔内并与加料杆组件驱动连接,以带动加料杆组件的至少一部分转动和/或沿导向筒的轴向运动。本技术解决了现有技术中掺杂剂补充效果差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶硅生产设备领域,具体而言,涉及一种掺杂剂补充装置


技术介绍

1、在光伏行业单晶硅的生产拉晶过程中,为了满足单晶硅的型号和电阻率,通常需要掺入不同种类和数量的掺杂剂。目前常用掺杂剂的掺杂方法有直接掺杂法,即根据目标电阻率的要求将一定量的掺杂剂和原生多晶硅料同时放入坩埚内熔化,掺杂剂和原生多晶硅料同时经过高温熔化,并随着硅熔液的流动均匀分布在熔体中,但是该方法适用于熔点和蒸发温度较高的掺杂剂,比如硼、砷等元素,当掺杂剂的熔点和蒸发温度较低时,比如镓,磷等元素,随着加热和拉晶的过程中会逐渐的蒸发,掺杂剂在硅液中的量已远低于预期值,这样如果继续拉晶,产出的晶棒电阻率已偏离目标值,会造成晶棒品质不稳定,晶棒良率降低。针对该问题,就需要在拉晶过程中对掺杂剂进行持续的增加补充,但现有的补充掺杂的方式,一般将补充掺杂剂直接加入到料筒中,通过持续加硅料的时候将掺杂剂加入到坩埚内,这样加入的方式使掺杂剂掺入的范围有限,无法快速均匀地溶入硅熔液中,影响了补充掺杂剂的均匀性,进而影响了所拉制单晶硅棒的电阻率的均匀性。

2、因此,现有技术中存在掺杂剂补充本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掺杂剂补充装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的掺杂剂补充装置,其特征在于,所述驱动组件(30)包括:

3.根据权利要求2所述的掺杂剂补充装置,其特征在于,所述导向筒(10)的周向侧壁对应所述推杆(31)设置有导向槽(13),所述推杆(31)能够沿所述导向槽(13)运动,且所述导向槽(13)至少包括顺次连接的第一段(131)和第二段(132),所述第一段(131)沿所述导向筒(10)的轴向延伸,所述第二段(132)沿所述导向筒(10)的周向延伸。

4.根据权利要求2所述的掺杂剂补充装置,其特征在于,所述加料杆组件(20)包括:...

【技术特征摘要】

1.一种掺杂剂补充装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的掺杂剂补充装置,其特征在于,所述驱动组件(30)包括:

3.根据权利要求2所述的掺杂剂补充装置,其特征在于,所述导向筒(10)的周向侧壁对应所述推杆(31)设置有导向槽(13),所述推杆(31)能够沿所述导向槽(13)运动,且所述导向槽(13)至少包括顺次连接的第一段(131)和第二段(132),所述第一段(131)沿所述导向筒(10)的轴向延伸,所述第二段(132)沿所述导向筒(10)的周向延伸。

4.根据权利要求2所述的掺杂剂补充装置,其特征在于,所述加料杆组件(20)包括:

5.根据权利要求4所述的掺杂剂补充装置,其特征在于,所述加料杆组件(20)还包括:

6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:米家东乔乐汪奇徐志群
申请(专利权)人:四川高景太阳能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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