【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种异质集成射频芯片，属于半导体集成电路制造。
技术介绍
1、随着电子信息系统对多功能、高密度集成、小体积重量高性能等方面的持续需求，异质集成半导体技术在此需求的推动下越来越受到行业关注。在半导体集成技术方面主要包括混合集成和单片集成两个大的技术方向。混合集成属于系统级封装的概念，通过将不同功能材料的芯片进行3维堆叠封装成一个整体；单片集成是将不同功能的器件在单片上集成，省去了繁琐的多次封装步骤。
2、单片集成包括类似post-cmos的转移工艺，异质外延工艺以及外延层转移工艺等。post-cmos工艺将主要是将iii-v族芯片通过微机械操作转移到si基cmos芯片上，该方案是目前较为常用的转移方案。异质外延需要解决不同外延材料生长过程中的晶格适配问题以及不同器件制备工艺不兼容的问题，技术难度较大。外延层转移工艺需要考虑圆片级键合时的对准精度以及通孔互联问题，工艺难度也较大。于此同时，当射频芯片频率越来越高，键合线以及互联通孔引起的传输损耗问题和寄生问题都将对整个集成芯片的性能产生影响。此外，键合过程中使用的键...
【技术保护点】
1.一种异质集成射频芯片，其特征在于，包括第一芯片（1）、若干个第二芯片（2）、金属焊料（3）和芯片载体（4），第一芯片（1）上开设若干个容纳第二芯片（2）的贯穿孔（16），第一芯片（1）通过金属焊料（3）固定连接芯片载体（4），若干个第二芯片（2）通过金属焊料（3）固定连接芯片载体（4）。
2.根据权利要求1所述的一种异质集成射频芯片，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的一种异质集成射频芯片，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的一种异质集成射频芯片，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的一种异质集成射频芯片，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种异质集成射频芯片，其特征在于，包括第一芯片（1）、若干个第二芯片（2）、金属焊料（3）和芯片载体（4），第一芯片（1）上开设若干个容纳第二芯片（2）的贯穿孔（16），第一芯片（1）通过金属焊料（3）固定连接芯片载体（4），若干个第二芯片（2）通过金属焊料（3）固定连接芯片载体（4）。
2.根据权利要求1所述的一种异质集成射频芯片，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：代鲲鹏，李俊锋，梁宗文，潘棋，吴少兵，章军云，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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