检查方法及摄像元件的制造方法技术

检查方法包括：准备设备的工序，所述设备具备多个像素电极(11)、与多个像素电极(11)对置而配置的对置电极(13)、配置在多个像素电极(11)与对置电极(13)之间的光电变换层(12)、夹着光电变换层(12)与对置电极(13)对置并且配置在多个像素电极(11)中的相邻的两个像素电极(11)之间的测试电极、与对置电极(13)电连接并向外部露出的第1电极焊盘、以及与测试电极电连接并向外部露出的第2电极焊盘；以及对第1电极焊盘与第2电极焊盘之间施加电压、计测在第1电极焊盘与第2电极焊盘之间流动的电流的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及检查方法及摄像元件的制造方法。

技术介绍

1、近年来，已知有在cmos(complementary metal oxide semiconductor：互补金属氧化物半导体)读出电路的上方层叠有光电变换层的摄像元件。在这样的摄像元件中，光电变换层的完成情况会对摄像元件的特性带来影响。在摄像元件的制造过程中检查光电变换层的完成情况，由于能够在检查后的工序中避免不合格品的组装及加工，所以是重要的。

2、在专利文献1中，公开了一种使用配置在光电变换部的外侧的测试用的光电变换部对光电变换层进行检查的方法。

3、在专利文献2中，公开了一种使用形成在摄像区域的外侧的测试用图案(pattern)对光电变换层进行检查的方法。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特许第4783868号公报

7、专利文献2：日本特许第5806635号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、在本公开中，提供一种能够精度良好地检查本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检查方法，其特征在于，

2.如权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的检查方法，其特征在于，

5.如权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

6.如权利要求5所述的检查方法，其特征在于，

7.如权利要求1～6中任一项所述的检查方法，其特征在于，

8.如权利要求7所述的检查方法，其特征在于，

9.如权利要求7所述的检查方法，其特征在于，

10.如权利要求9所述的检查方法，其特征在于，

11.一种摄像...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种检查方法，其特征在于，

2.如权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的检查方法，其特征在于，

5.如权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

6.如权利要求5所述的检查方法，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：町田真一，宍戸三四郎，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：

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