【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种联栅晶体管，属于硅半导体器件。
技术介绍
1、1979年hisao kondo提出了联栅晶体管gat（gate associated transistor），随后进行了详细的分析（见ieee trans．electron device，vol．ed-27, pp．373-379．1980）。1994年，陈福元、金文新、吴忠龙对联栅晶体管gat作了进一步的分析（见《电力电子技术》1994年第4期 1994.11. pp52-55），指出了联栅晶体管器件呈现出高耐压、快速开关和低饱和压降等优良特性。
2、早期的联栅晶体管gat都是采用平面结构。2000年，中国专利技术专利zl00100761.0（以下简称已有技术1）提出了一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其结构的原理如图1所示：在下层为第一导电类型低电阻率层42、上层为第一导电类型高电阻率层41的硅衬底片4的上表面，有多条第一导电类型的高掺杂浓度的发射区3，发射区3通过掺杂多晶硅层9与发射极金属层1连接，每条发射区3的周围有第二导电类型的基区2，基区2的侧面连着第...
【技术保护点】
1.一种槽型栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条平行的长条形N型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每条发射区的周围有P型的基区，基区的侧面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P型的槽型栅区，每条槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种槽型栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为n型低电阻率层、上层为n型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条平行的长条形n型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着n型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每条发射区的周围有p型的基区，基区的侧面连着...
【专利技术属性】
技术研发人员：李连宇，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：苏州兰芯微半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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