【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种二极管电路，且特别关于一种极低(ultralow)正向压降的级联二极管电路。
技术介绍
1、对于高功率及/或高性能电路的应用，诸如氮化镓/碳化硅场效晶体管之类的晶体管，因高效率及高电压操作而受到期望。一种受欢迎的设计系将iii族氮化物晶体管与硅二极管结合，组成一级联二极管电路，可以在ieee transactions on power electronics,vol.36,no.8,pp.8653-8657,august2021揭示的yuan li and alex q.huang,“huang-pair:a new high voltage diode concept and its demonstration”中找到。
2、上述参考文献中的电路使用了一对碳化硅晶体管以及硅二极管，为了实现上述参考文献中公开的i-v行为，需要采用高压晶体管。然而，高压碳化硅晶体管相当昂贵，导致电路成本上升，使其在商业的应用中具有挑战性。
3、因此，需要一种简单且具有成本效益的电路设计来满足性能和成本之间的平衡
【技术保护点】
1.一种级联二极管电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该常开晶体管的崩溃电压等于或大于该高电压二极管的崩溃电压。
3.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该高电压二极管的崩溃电压大于该低电压二极管的崩溃电压。
4.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该低电压二极管的崩溃电压的一绝对值等于或大于该常开晶体管的栅极阈值电压。
5.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该常开晶体管、该低电压二极管及该高电压二极管满足以下关系：
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种级联二极管电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该常开晶体管的崩溃电压等于或大于该高电压二极管的崩溃电压。
3.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该高电压二极管的崩溃电压大于该低电压二极管的崩溃电压。
4.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该低电压二极管的崩溃电压的一绝对值等于或大于该常开晶体管的栅极阈值电压。
5.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该常开晶体管、该低电压二极管及该高电压二极管满足以下关系：
6.根据权利要求1所述的级联二极管电路，其特征在于，该常开晶体管的额定电压等于或大于一预定值，该高电压二极管的额定电压等于或大于该预定值，并且该低电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：许甫任，颜诚廷，洪湘婷，
申请(专利权)人：即思创意股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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