一种3D集成电路的TSV自动插入方法技术

本发明专利技术涉及一种3D集成电路的TSV自动插入方法，属于半导体器件技术领域，包括如下步骤：步骤1)：建立各个集成电路芯片模型，在各个集成电路芯片模型上开设钻孔；步骤2)：检测各个集成电路芯片模型上的钻孔个数，检测各个集成电路芯片模型上的钻孔位置；步骤3)：将多个管材自动插入到各个集成电路芯片模型上各自的钻孔中，生成整个3D集成电路芯片模型，检测整个3D集成电路芯片模型的堆叠是否发生偏移；步骤4)：采用评估或预算整个3D集成电路芯片模型的高度；步骤5)：制作实际的整个3D集成电路芯片；本发明专利技术的有益效果：插入到钻孔中的管材是直线的，整个3D集成电路芯片模型的堆叠未发生偏移以及高度位移未发生变化，一体堆叠成整个3D集成电路芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，特别涉及一种3d集成电路的tsv自动插入方法。

技术介绍

1、‌tsv技术‌(through-silicon via)是一种先进的封装技术，通过在各个芯片上穿孔并填充导电材料，实现了芯片之间的垂直互连。具体是，tsv技术是在各个芯片上钻出小孔，然后使用铜、钨、多晶硅等导电材料填充这些孔，从而实现各个芯片的垂直电气互连。tsv技术能够允许不同功能的芯片堆叠在一起，从而提高了芯片的集成度、降低功耗以及缩小堆叠芯片的封装体积。

2、tsv技术主要应用于芯片领域，包括微处理器以及集成电路芯片等，它对于整个3d集成电路芯片的堆叠至关重要，对于整个3d集成电路芯片的堆叠封装（wsp）应用，能够实现多个芯片的高密度堆叠。

3、目前，在整个3d集成电路芯片的堆叠过程中，由于在对各个集成电路芯片上的穿孔进行填充导电材料时，各个集成电路芯片的穿孔不在同一轴线上，会导致整个3d集成电路芯片的堆叠发生偏移，还有就是各个集成电路芯片的穿孔不在同一轴线上，填充导电材料在各个集成电路芯片的穿孔中热胀冷缩，也会导致整个3d集成电路芯片的堆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种3D集成电路的TSV自动插入方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种3D集成电路的TSV自动插入方法，其特征在于，在所述步骤1)中，各个所述集成电路芯片模型的长度、宽度和高度设定为相等，在各个集成电路芯片模型上开设盲孔，各个所述盲孔的长度、宽度和高度相等。

3.根据权利要求1所述的一种3D集成电路的TSV自动插入方法，其特征在于，在所述步骤2)中，设定某个所述集成电路芯片模型的坐标系，采用所述坐标点位向量法检测某个集成电路芯片模型上的钻孔位置，坐标点位向量法为如下公式(1)：

4.根据权利要求1所述的一种3D集成电路的TS...

【技术特征摘要】

1.一种3d集成电路的tsv自动插入方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种3d集成电路的tsv自动插入方法，其特征在于，在所述步骤1)中，各个所述集成电路芯片模型的长度、宽度和高度设定为相等，在各个集成电路芯片模型上开设盲孔，各个所述盲孔的长度、宽度和高度相等。

3.根据权利要求1所述的一种3d集成电路的tsv自动插入方法，其特征在于，在所述步骤2)中，设定某个所述集成电路芯片模型的坐标系，采用所述坐标点位向量法检测某个集成电路芯片模型上的钻孔位置，坐标点位向量法为如下公式(1)：

4.根据权利要求1所述的一种3d集成电路的tsv自动插入方法，其特征在于，在所述步骤3)中，所述直线度分析方式，为如下公式(2)：

5.根据权利要求4所述的一种3d集成电路的tsv自动插入方法，其特征在于，在所述管材自动插入到所述集成电路芯片模型上的所述钻孔中后，采用面平行贴合法检测管材的各个面是否与钻孔中的各个面贴合，所述面平行贴合法，为如下公式(3)：

【专利技术属性】
技术研发人员：刘松林，李坤，左小波，赖仕普，蒋本建，
申请(专利权)人：成都汉芯国科集成技术有限公司，
类型：发明
国别省市：

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