阻抗调控单元、射频电路、天线结构及电子设备制造技术

本申请提供了一种阻抗调控单元、射频电路、天线结构及电子设备，涉及天线技术领域。该阻抗调控单元包括多个单原子层、反应层、第一控制电极和第二控制电极，每个单原子层包括相对的第一端和第二端，多个单原子层的第一端相连，且多个单原子层的第二端相连。反应层包括反应离子，多个单原子层均与反应层接触。第一控制电极和第二控制电极分别与反应层电接触，以控制反应离子与单原子层发生反应，单原子层反应前后的拉曼光谱的波峰的频移值不同，且单原子层反应前后的阻抗不同。阻抗调控单元可用作开关，应用于射频电路或天线结构中。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及天线，尤其涉及一种阻抗调控单元、射频电路、天线结构及电子设备。

技术介绍

1、石墨烯凭借其阻抗可调特性、调控便捷及无寄生参数等特点，成为射频天线领域的研究热点。

2、现有的石墨烯基阻抗调控单元，高阻态的阻抗不够高，低阻态的阻抗不够低，存在阻抗调控范围窄的问题。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供了一种阻抗调控单元、射频电路、天线结构及电子设备，旨在提高阻抗调控范围。

2、为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

3、第一方面，提供了一种阻抗调控单元，该阻抗调控单元包括多个单原子层、反应层、第一控制电极和第二控制电极，每个单原子层包括相对的第一端和第二端，多个单原子层的第一端相连，且多个单原子层的第二端相连。反应层包括反应离子，多个单原子层均与反应层接触。第一控制电极和第二控制电极分别与反应层电接触，以控制反应离子与单原子层发生反应，单原子层反应前后的拉曼光谱的波峰的频移值不同，且单原子层反应前后的阻抗不同。

4、本申请的上述实施例所提供的阻抗本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阻抗调控单元，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述单原子层的元素包括碳族元素；

3.根据权利要求1或2所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述多个单原子层堆叠设置，至少有两个相邻的单原子层之间具有间隙，所述反应层的至少部分位于所述间隙；和/或，

4.根据权利要求3所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述离子可交换介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层；

5.根据权利要求4所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述第一介质层的材料包括聚氯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一者，所述第二介质层的材料包括聚氯乙...

【技术特征摘要】

1.一种阻抗调控单元，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述单原子层的元素包括碳族元素；

3.根据权利要求1或2所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述多个单原子层堆叠设置，至少有两个相邻的单原子层之间具有间隙，所述反应层的至少部分位于所述间隙；和/或，

4.根据权利要求3所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述离子可交换介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层；

5.根据权利要求4所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述第一介质层的材料包括聚氯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一者，所述第二介质层的材料包括聚氯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一者。

6.根据权利要求3所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述离子可交换介质层包括隔膜纸。

7.根据权利要求3～6中任一项所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述阻抗调控单元还包括粘结层；

8.根据权利要求3～7中任一项所述的阻抗调控单元，其特征在于，所述单原子层的形状为面状。

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【专利技术属性】
技术研发人员：吴边，宁静，陈彪，樊炽，孙乔，李堃，王鑫，杨树明，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：