混合维纳米结构光电探测器及其制备方法及类脑计算用途技术

本发明专利技术公开了一种混合维纳米结构光电探测器及其制备方法及类脑计算用途，属于光电子学领域，包括：基底；在基底上构建有一维第一半导体材料纳米棒和三维第二半导体材料颗粒层，共同形成混合维纳米结构；将所述混合维纳米结构作为异质结构建内建电场，用于促进载流子分离和光电传输；电极，设置在所述基底上。本发明专利技术显著提高了光电探测性能，并成功制备了人工突触器件，器件的制备工艺简单且成本低廉，在神经形态器件和光通讯系统领域具有巨大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子学领域，更为具体的，涉及一种混合维纳米结构光电探测器及其制备方法及类脑计算用途。

技术介绍

1、人类从外部世界接收的信息，几乎70％是通过视觉感知获得的。将光刺激转化为电信号的各种光电探测器是人类视觉的延伸。随着人工智能技术的快速发展和未来可以在各种环境条件下工作的先进机器人系统，迫切需要卓越和智能的光探测设备。近年来，由金属有机框架组成的光电探测器开始崭露头角。金属有机框架(mofs)由无机金属团簇与有机连接配体配合形成，是一种新型的混合光电探测器，它结合了无机和有机光电探测器的优点，而且也无需复杂而昂贵的制造工艺，直接可以制备成简单的光电探测器。其形貌多样，因此也可形成一维、二维和三维光电探测器，特别是二维光电探测器因其高度的离域π电子系统、良好的电子转移和良好的光捕获性能，已成功地应用于光电子器件的制造。但是，在光照下的有效电荷分离仍然是mofs光电探测器的挑战，特别是这种光导体往往存在导电性差、光响应慢、灵敏度低等缺点严重限制了光电探测器的性能提升。能够提高mofs光电探测器性能的一种特别有效的方法是将mofs层与其他功能材料相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种混合维纳米结构光电探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的混合维纳米结构光电探测器，其特征在于，所述第一半导体材料纳米棒包括ZnO纳米棒，所述三维第二半导体材料颗粒层包括三维Cu3(HHTP)2薄膜层，利用ZnO纳米棒的光导及宽带隙，与三维Cu3(HHTP)2构建内建电场。

3.根据权利要求1所述的混合维纳米结构光电探测器，其特征在于，所述基底包括FTO玻璃基底。

4.根据权利要求1所述的混合维纳米结构光电探测器，其特征在于，所述包括叉指电极，且刻在基底的中心位置。

5.一种混合维纳米结构光电探测器的类脑计算用途，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种混合维纳米结构光电探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的混合维纳米结构光电探测器，其特征在于，所述第一半导体材料纳米棒包括zno纳米棒，所述三维第二半导体材料颗粒层包括三维cu3(hhtp)2薄膜层，利用zno纳米棒的光导及宽带隙，与三维cu3(hhtp)2构建内建电场。

3.根据权利要求1所述的混合维纳米结构光电探测器，其特征在于，所述基底包括fto玻璃基底。

4.根据权利要求1所述的混合维纳米结构光电探测器，其特征在于，所述包括叉指电极，且刻在基底的中心位置。

5.一种混合维纳米结构光电探测器的类脑计算用途，其特征在于，将权利要求1或2任一所述的混合维纳米结构光电探测器作为光电神经形态器件应用在类脑计算中。

6.一种混合维纳米结构光电探测器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王叶，潘亮，王志明，
申请(专利权)人：天府绛溪实验室，
类型：发明
国别省市：