内建电子倍增功能型的固体摄像元件制造技术

本发明专利技术的内建电子倍增功能型的固体摄像元件中，在倍增寄存器（ＥＭ）的垂直于电子传送方向的剖面内，绝缘层（２）两侧部的厚度大于中央区域的厚度，在Ｎ型半导体区域（１Ｃ）的中央区域与两侧部的边界上，形成有一对溢出漏极（１Ｎ），各溢出漏极（１Ｎ）沿着倍增寄存器（ＥＭ）的电子传送方向延伸。溢出式栅极电极（Ｇ）从绝缘层（２）的较薄部分至较厚部分延伸，另外，其介于各传送电极（８（８Ａ、８Ｂ））的长边方向的两端部与绝缘层（２）之间，且作为对各电极（８（８Ａ、８Ｂ））的屏蔽电极也发挥功能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种内建电子倍增功能型的固体摄像元件，其特征在于：所述固体摄像元件具备：摄像区域；水平移位寄存器，传送来自所述摄像区域的电子；以及倍增寄存器，倍增来自所述水平移位寄存器的电子，所述倍增寄存器具备：半导体区域；形成于所述半导体区域上的绝缘层；在所述绝缘层上以邻接方式形成的多个传送电极；以及配置于所述传送电极之间且被施加直流电位的ＤＣ电极，在所述倍增寄存器的垂直于电子传送方向的剖面内，所述绝缘层两侧部的厚度大于中央区域的厚度，且在所述半导体区域的所述中央区域与所述两侧部的边界上，形成有一对溢出漏极；各个所述溢出漏极沿着所述倍增寄存器的电子传送方向延伸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木久则，米田康人，高木慎一郎，前田坚太郎，村松雅治，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]