光检测器制造技术

本发明专利技术的光检测器具备光电二极管(300)和保护二极管(301)，其特征在于，所述光电二极管(300)和所述保护二极管(301)集成在同一半导体基板上，所述光电二极管(300)具备：半导体部，由至少一种以上的半导体材料构成；阳极电极；以及阴极电极，所述保护二极管(301)具备：芯层；半导体部，包括所述芯层所具备的掺杂了第一型杂质离子的第一型半导体区域和掺杂了第二型杂质离子的第二型半导体区域；阳极电极；以及阴极电极，所述保护二极管(301)的半导体部仅由所述光电二极管(300)的半导体部中使用的半导体材料中的一种构成，所述保护二极管(301)的阳极电极与所述光电二极管(300)的阳极电极连接，所述保护二极管(301)的阴极电极与所述光电二极管(300)的阴极电极连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及在光通信系统、光信息处理系统中使用的光检测器，特别涉及用于提供具有针对静电放电的耐性的光检测器的构造。

技术介绍

1、随着近年来的光通信的普及，要求光通信装置的低成本化。作为其解决方案之一，有在硅片那样的大口径晶片上使用硅光子技术那样的微小光回路技术形成构成光通信装置的光回路的方法。由此，能够降低每个芯片的材料费，谋求光通信装置的低成本化。

2、作为在使用了这样的技术的硅(si)基板上形成的代表性的光检测器，有能够单片集成的锗光检测器(germanium photodetector；以下也称为gepd)(专利文献1)。但是，该光检测器不具备保护电路，因此存在抗静电放电能力弱的问题。

3、与此相对，在专利文献2中公开了一种具备保护电路(保护用齐纳二极管)的光检测器。该光检测器的保护用齐纳二极管使用ge层和si层的两方而形成。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本专利技术第5370857号公报

7、专利文献2：日本专利技术第6981365号公报

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【技术保护点】

1.一种光检测器，具备光电二极管和保护二极管，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的光检测器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的光检测器，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的光检测器，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的光检测器，其中，

6.根据权利要求1或2所述的光检测器，其特征在于，

7.根据权利要求1或2所述的光检测器，其特征在于，

8.根据权利要求1或2所述的光检测器，其特征在于，

9.根据权利要求1或2所述的光检测器，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光检测器，具备光电二极管和保护二极管，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的光检测器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的光检测器，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的光检测器，其特征在于，

5.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：雏仓阳介，本田健太郎，菊池清史，伊熊雄一郎，
申请(专利权)人：日本电信电话株式会社，
类型：发明
国别省市：