【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及慢提拉添加剂领域，具体涉及一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂及应用其生产晶硅电池用硅片的方法。
技术介绍
1、光伏产业的发展也带来了技术的更迭，目前topcon电池以其更高的光电转化率和设备适配度高逐步取代了perc电池成为主流工艺。目前国内topcon技术路线为了兼容后续的电池工艺，在目前的碱抛工序需要将正面的bsg保留，用来做后续工艺的保护层。
2、针对上述现有技术，本申请人发现，由于bsg层的存在导致硅片表面亲水性增强，在后续的慢提拉槽预脱水时，导致硅片表面脱水不完全，进而导致硅片出现粘片的情况和表面水渍残留，影响后续成品电池的el良率，表现为水印比例较高。
3、另外在慢提拉槽之后会有高温烘干槽，温度在85度以上，时间在15min左右，由于硅片表面的水残留会导致硅片的抛光面在烘干槽里面的氧化状态发生变化，由于湿氧和水汽的氧化速度比较快，会在抛光面形成几埃厚度的氧化层，同时在后续的工艺中背面需要继续生长2nm左右的隧穿氧化层，那么在烘干槽生长出来的该部分氧化层会影响后续的氧化层生长和隧穿效果，进而导...
【技术保护点】
1.一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，由以下百分比物质组成：
2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，所述表面清洁剂包括小分子类有机物、小分子醚类、小分子醇类中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，所述稳定剂包括二丁基羟基甲苯、富马酸、苯甲酸钠中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求1所述的一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，所述分散剂包括HPMA、丙烯酸、十二烷基硫酸钠中的一种或多种的组合。
5.根据权利要求1所述的一种晶...
【技术特征摘要】
1.一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，由以下百分比物质组成：
2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，所述表面清洁剂包括小分子类有机物、小分子醚类、小分子醇类中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，所述稳定剂包括二丁基羟基甲苯、富马酸、苯甲酸钠中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求1所述的一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，所述分散剂包括hpma、丙烯酸、十二烷基硫酸钠中的一种或多种的组合。
5.根据权利要求1所述的一种晶硅电池生产用慢提拉添加剂，其特征在于，所述表面活性剂包括阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、氟碳表面活性剂中的一种或多种的组合。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王强，李良，巫安菊，
申请(专利权)人：常州启航能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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