【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
日本专利申请公开公布No. 2000-223518中描述的一种传统半导体器件 具有多个设置于硅衬底下方的外部连接柱状电极。这种传统半导体器件具 有在半导体结构(扇入)的平面分布区域中设置外部连接电极的构造，因 此布置有大量的外部连接电极，使得其在布置间距小于预定大小(例如， 大约0.5um)时不能应用。日本专利申请公开公布No. 2005-216935中已经公开了一种半导体器 件，该半导体器件可用于所布置的外部连接电极的数量很大的情况并且其 尺寸减小，其中被称为芯片尺寸封装(CSP)的半导体结构设置在平面尺寸 大于所述半导体结构的平面尺寸的基板上，并且该基板的全部区域基本充 当用于布置所述半导体结构(扇出)的外部连接电极的区域。如上所述的传统半导体器件使用基板，因此具有整个器件的厚度增加 的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是当用于布置外部连接电极的区域大于半导体结 构的平面尺寸时提供一种能够减小厚度的。根据本专利技术的一方面的半导体器件包括半导体结构，具有半导体衬 底和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极；以及下绝...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 半导体结构（２），包括半导体衬底（４）和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极（１３）； 下绝缘膜（１），设置于所述半导体结构的下方和外侧； 密封膜（２８），设置于所述下绝缘膜上，以覆盖所述半导 体结构的外围；以及 多个下布线线路（２２），设置于所述下绝缘膜下方且分别连接至所述半导体结构的所述外部连接电极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：定别当裕康，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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