一种碳化硅籽晶的预处理方法、产品以及应用技术

本发明专利技术属于碳化硅单晶材料领域，具体公开了一种碳化硅籽晶的预处理方法、产品以及应用，其包括S1：清洁碳化硅籽晶的硅面，S2：制备复合单元层，具体为，先将正性光刻胶涂覆在步骤S1获得的洁净硅面上，执行烘干，获得正性光刻胶层，接着，在正性光刻胶层上制备石墨涂层，形成正形光刻胶和石墨层层叠而成的复合单元层，S4：对硅面形成有复合单元层的籽晶加热，使复合单元层完全固化和致密化，获得预制籽晶，S5：清洁预制籽晶的碳面，完成预处理。本发明专利技术还提供按照以上方法预处理的碳化硅籽晶以及采用该预处理籽晶进行碳化硅生长的方法。本发明专利技术有效解决了因籽晶粘接带来的应力问题，能用来代替传统的籽晶粘接工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅单晶材料领域，更具体地，涉及一种碳化硅籽晶的预处理方法以及应用。

技术介绍

1、近年来，碳化硅以其宽禁带、高击穿场强、高热导率等诸多特点，表现出了极大的应用潜力。特别是随着碳化硅器件在电动汽车领域的应用，碳化硅行业受到了社会各界的广泛关注。

2、生长碳化硅单晶的方法有液相法、pvt法、htcvd法等，但目前可以商用生产碳化硅单晶的方法只有物理气相运输法，也即pvt法，pvt法(英文为：physical vapor transport)是一种常用的晶体生长方法，主要用于制备高质量的晶体材料。该方法通过在高温下将材料气化，然后通过输运过程在衬底上凝华，形成晶体。pvt法能够在高温环境中迅速长出高质量的晶体，并且能够生长大尺寸的晶体。具体的，pvt法中，在坩埚底部放置碳化硅原料，顶部放置碳化硅籽晶，通过对保温结构的设计，使坩埚具有一定的轴向和径向温度梯度，通过加热的方式将坩埚加热到2000℃～2400℃，使碳化硅原料蒸发升华形成气相，气相在温度梯度的作用下，从坩埚底部被运输到籽晶处结晶，从而生长出碳化硅单晶。</p>

3、在生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，其包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，其还包括步骤S3，步骤S3为，重复步骤S2至少两次，在碳化硅籽晶硅面制备至少两层复合单元层，至少包括贴附在硅面的第一复合单元层和层叠第一复合单元层的第二复合单元层。

3.如权利要求1所述的碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，步骤S2中，正性光刻胶的粘度为1mpa·s～200mpa·s，正性光刻胶层厚度为2μm～10μm。

4.如权利要求3所述的碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，步骤S2中，将正性光刻胶加热至温度为50～100℃时涂覆...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，其包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，其还包括步骤s3，步骤s3为，重复步骤s2至少两次，在碳化硅籽晶硅面制备至少两层复合单元层，至少包括贴附在硅面的第一复合单元层和层叠第一复合单元层的第二复合单元层。

3.如权利要求1所述的碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，步骤s2中，正性光刻胶的粘度为1mpa·s～200mpa·s，正性光刻胶层厚度为2μm～10μm。

4.如权利要求3所述的碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，步骤s2中，将正性光刻胶加热至温度为50～100℃时涂覆至旋转的碳化硅籽晶的硅面，旋转速度为2000～10000r/min，执行烘干的温度为60～120℃。

5.如权利要求4所述的碳化硅籽晶的预处理方法，其特征在于，步骤s2中，将石墨喷剂喷涂在...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦帅帅，苏建伟，赵文琪，王志勇，李晨仪，张斗，徐文煌，刘勇，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：