一种半导体结构制造技术

本技术公开了一种半导体结构，属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括：衬底，包括多个芯片，相邻所述芯片之间的区域为切割道；至少一层金属垫，设置在所述切割道上；钝化层，设置在所述衬底上，并覆盖所述金属垫；测试窗口，开设于所述钝化层和金属垫内，所述测试窗口包括相互连通的第一开口和第二开口，所述第一开口的底面设置在所述金属垫内，所述第一开口的底部呈弧形，所述第二开口设置在所述第一开口的一侧，所述第二开口的底面凸出于所述第一开口的底面，所述测试窗口的面积小于或等于所述金属垫的面积。通过本技术提供的一种半导体结构，能够提高芯片密度，减少测试问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体，特别涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、随着集成电路的高度发展，提高芯片密度降低生产成本已成各大公司追求的目标。当晶片上各芯片的集成电路布局完成后，各芯片间的相邻区域定义出一切割道(scribeline)，便交由封装厂进行晶片切割，其中，芯片与芯片间的切割道尺寸降低，可提高整片晶圆密度。但切割道尺寸需要满足晶圆接受测试(wafer acceptance test，wat)的需求，wat测试的探针需要扎到金属垫进行测试。当前金属垫为表面光滑的长方体结构，导致探针卡扎针在应力作用下出现较大滑痕，当滑痕超出金属垫的尺寸，造成测试问题甚至会造成探针的损害，也限制了切割道设计的尺寸，影响芯片密度。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种半导体结构，通过本技术提供的半导体结构，能够提高芯片密度，减少测试问题，降低企业的生产成本。

2、为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体结构，至少包括：

3、衬底，包括多个芯片，相邻所述芯片之间的区域为切割道；

<p>4、至少一层金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口的宽度为所述第二开口的宽度的1.8倍～2.2倍。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属垫的宽度为13μm～16μm；和/或，所述钝化层的厚度为

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试窗口的两侧边缘与所述金属垫的边缘对齐。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试窗口的至少一侧边缘位于所述金属垫上。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二开口暴露所述金属垫的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口的宽度为所述第二开口的宽度的1.8倍～2.2倍。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属垫的宽度为13μm～16μm；和/或，所述钝化层的厚度为

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试窗口的两侧边缘与所述金属垫的边缘对齐。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试窗口的至少一侧边缘位于所述金属垫上。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二开口暴露所述金属垫的表面，所述第一开口远离所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛旋，梁君丽，汪伟光，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：