【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及制造磁性存储器件的方法，更具体地，涉及一种制造包括赛道(race track)的磁性存储器件的方法。
技术介绍
1、为了满足对电子产品的小型化、多功能和高性能的需求，人们正在开发大容量存储器件。为了提供大容量，已经提出了包括多个磁畴(magnetic domain)并且通过磁畴之间的磁畴壁的移动来存储信息的赛道。同样，人们正在开发包括这样的赛道的磁畴壁移位寄存器型存储器件。各种方法正在被提出来以低成本制造高集成度磁性存储器件。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种制造磁性存储器件的方法，由此通过使用图案段的分层现象来制造多个磁性模块并且堆叠所述多个磁性模块以完成堆叠存储器件，可以以低成本制造各种类型的磁性存储器件。
2、要由本专利技术构思解决的问题不限于上面提及的问题，并且根据以下描述，本领域的普通技术人员将清楚地理解其他未提及的问题。
3、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种制造磁性存储器件的方法，所述方法包括：在基体衬底的上表面上形成...
【技术保护点】
1.一种制造磁性存储器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一图案段包括堆叠结构，所述堆叠结构包括具有六方氮化硼的二维片材的多个层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一堆叠段包括：在所述第一膜堆叠件的与所述第一图案段交叠的所述部分上方使用粘合印模，以通过将构成所述第一图案段的所述二维片材的一些层分层来去除所述第一膜堆叠件的所述部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一磁性模块包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二磁性模块包括：
6.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种制造磁性存储器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一图案段包括堆叠结构，所述堆叠结构包括具有六方氮化硼的二维片材的多个层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一堆叠段包括：在所述第一膜堆叠件的与所述第一图案段交叠的所述部分上方使用粘合印模，以通过将构成所述第一图案段的所述二维片材的一些层分层来去除所述第一膜堆叠件的所述部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一磁性模块包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二磁性模块包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一磁性模块的所述磁性轨道层、所述第二磁性模块的所述第二图案段和所述第二磁性模块的所述读取传感器分别包括磁隧道结结构的自由层、隧道势垒层和固定层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基体衬底和所述堆叠衬底中的每一者包括相应晶片，并且
8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一磁性模块和所述第二磁性模块中的每一者包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二磁性模块的所述磁性轨道层、所述第三磁性模块的所述图案段和所述第三磁性模块的所述读取传感器分别包括磁隧道结结构的自由层、隧道势垒层和固定层。
11.一种制造磁性存储器件的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所...
【专利技术属性】
技术研发人员：皮雄焕，斯图尔特·帕普沃斯·帕金，田在春，金载根，安德里亚·米格里里尼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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