【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及切削工具。
技术介绍
1、一直以来,具备基材和配置于该基材上的覆膜的切削工具被用于切削加工(专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特表2022-512808号公报
技术实现思路
1、本公开的一个方式所涉及的切削工具具备基材和配置于所述基材上的覆膜,其中,
2、所述覆膜包含第一层,
3、所述第一层由第一单元层和第二单元层交替地层叠而成的交替层构成,
4、所述第一单元层具有六方晶型的晶体结构,
5、所述第一单元层由w(c1-ana)x构成,
6、所述a为0.3以上且0.8以下,
7、所述x为0.8以上且1.2以下,
8、所述第二单元层由alcv1-cn构成,
9、所述c为0.40以上且0.80以下。
【技术保护点】
1.一种切削工具,具备基材和配置于所述基材上的覆膜,其中,
2.根据权利要求1所述的切削工具,其中,在所述第一单元层和与所述第一单元层相邻的所述第二单元层中,所述第二单元层的厚度λ2μm相对于所述第一单元层的厚度λ1μm之比λ2/λ1为1.0以上且5.0以下。
3.根据权利要求1或2所述的切削工具,其中,
4.根据权利要求1至3中任一项所述的切削工具,其中,
5.根据权利要求4所述的切削工具,其中,
6.根据权利要求4所述的切削工具,其中,
7.根据权利要求1至6中任一项所述的切削工具,其中,
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种切削工具,具备基材和配置于所述基材上的覆膜,其中,
2.根据权利要求1所述的切削工具,其中,在所述第一单元层和与所述第一单元层相邻的所述第二单元层中,所述第二单元层的厚度λ2μm相对于所述第一单元层的厚度λ1μm之比λ2/λ1为1.0以上且5.0以下。
3.根据权利要求1或2所述的切削工具,其中,
4.根据权利要求1至3中任一项所述的切削工具,其中,
5.根据权利要求4所述的切削工具,其中,
6.根据权利要求4所述的切削工具,其中,
7.根据权利要求1至6中任一项所述的切削工具,其中,
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【专利技术属性】
技术研发人员:福井治世,月原望,田田敏广,
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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