【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式涉及发光器件、制造发光器件的方法以及具有发光器件的显示设备。
技术介绍
1、近来,已经开发了使用具有可靠无机晶体结构的材料制造超小型发光元件和使用发光元件制造发光器件的技术。例如,已经开发了一种发光器件,其中在每个发光区域中设置各自具有微米级或纳米级尺寸的超小型发光元件以形成光源。这种发光器件可以用作诸如显示设备和照明设备的各种电子设备中的光源。
技术实现思路
1、技术问题
2、本公开的各种实施方式涉及包括多个发光元件的发光器件、制造发光器件的方法以及包括发光器件的显示设备。
3、技术方案
4、根据本公开的方面,发光器件可以包括:衬底;第一电极和第二电极,设置在衬底上并且彼此间隔开;绝缘层,设置在其上形成有第一电极和第二电极的衬底上,并且包括在与第一电极和第二电极相交的第一方向上延伸的凹槽以及配置为分别暴露第一电极的一个区域和第二电极的一个区域的第一接触部分和第二接触部分;多个发光元件,设置在凹槽中并且位于第一电极和第二电极之间,并且
...【技术保护点】
1.一种发光器件,包括:
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述发光元件中的每个具有在从纳米级到微米级的范围内的尺寸,并且包括具有沿着所述凹槽延伸的长度的杆型发光二极管。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述凹槽的宽度大于所述发光元件之一的直径或宽度。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述凹槽在与所述第一接触部分和所述第二接触部分重叠的区域的至少一部分上部分地断开。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述凹槽包括部分地开口的开口。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述凹槽在
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件,包括:
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述发光元件中的每个具有在从纳米级到微米级的范围内的尺寸,并且包括具有沿着所述凹槽延伸的长度的杆型发光二极管。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述凹槽的宽度大于所述发光元件之一的直径或宽度。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述凹槽在与所述第一接触部分和所述第二接触部分重叠的区域的至少一部分上部分地断开。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述凹槽包括部分地开口的开口。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述凹槽在所述第一电极和所述第二电极上方的区域中被部分地去除。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电极和所述第二电极彼此平行地设置在所述衬底上的区域中,并且所述第一电极和所述第二电极中的每个在与所述凹槽相交的方向上延伸。
8.根据权利要求1所述的发光器件,所述凹槽包括多个凹槽。
9.根据权利要求1所述的发光器件,还包括:
10.一种发光器件,包括:
11.根据权利要求10所述的发光器件,其中,所述发光元件中的每个具有在...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔兑辰,金大贤,金明姬,韦德和·巴塞尔,柳济源,李新兴,李熙根,林白铉,赵显敏,太昌一,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:
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