本发明专利技术提供一种具有树脂层的密封膜，该密封膜的填充性和密合性优异，并提供该膜的制造方法和使用其的半导体装置，其中，所述树脂层含有下述（Ａ）、（Ｂ）和（Ｃ），并且在８０℃的流出量为１５０～１８００μｍ。（Ａ）树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为１０万以上且Ｔｇ为－５０～５０℃的高分子量成分（ａ１）以及以环氧树脂为主成分的热固性成分（ａ２）；（Ｂ）平均粒径为１～３０μｍ的填料；（Ｃ）着色剂。或者，本发明专利技术提供一种具有树脂层的密封用膜，所述树脂层含有上述（Ａ）、（Ｂ）和（Ｃ），并且在Ｂ阶状态的膜的热固化粘弹性测定中的５０～１００℃的粘度为１００００～１０００００Ｐａ.ｓ，该密封用膜的密合性、形状维持性优异，本发明专利技术还提供使用其的半导体装置。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及填充性和密封性优异的密封膜及使用其的半导体装置。更详细 地，本专利技术涉及具有保护功能和填充性、用于半导体芯片的保护和填充、通过 控制填充时的流动性而使填充性、密合性、形状维持性更优异的密封用膜以及 使用其的半导体装置。
技术介绍
一直以来，电子设备的小型化'轻量化都在不断发展，与此相伴的是，要 求对基板的高密度安装，搭载在电子设备的半导体封装的小型化、薄型化、轻量化也在不断发展。以往，有被称作LOC (Lead On Chip:芯片上引线封装) 和QFP ( Quad Flat Package:四边扁平封装)等的封装，正在开发比LOC和 QFP等封装更加小型化.轻量化的ja BGA ( Ball Grid Array:球栅阵列)和CSP (Chip Size Package:芯片尺寸封装)等封装。也在开发半导体元件的电路面 面向半导体配线基板侧的、所谓的倒装型封装即倒装芯片封装、WL-CSP( Wafer Level Chip Size Package:晶圓级芯片尺寸封装)等。上述的封装，通过利用传递成型法将固态的环氧树脂密封材料成型，来得 到密封封装，但是封装为薄型或大型时成型就比较难。另外，当无机填料的含 量增大时，通常传递成型时的熔融粘度增高，这会产生如下问题，即，成型时 残留空隙、模槽填充不良、线流出量和级移位(stage shift)的增大等和成型物 的品质降低等问题。另外，近年，倒装芯片、WL-CSP等中有具有突起状电极的制品，为了保 护其突起部和填充突起之间而经常使用密封材料，但用固态的环氧树脂密封材 料进行填充是很难的。因此，有人提出了以环氧树脂、无机填料为主体的密封 膜(例如，参照日本特开平5-283456号公报、日本特开平5-190697号公报、 日本特开平8-73621号公报、日本特开2005-60584号公报)。
技术实现思路
4但是，当使用以往的密封膜，来密封例如具有突起状电极的封装或对密封 后的形状有限制的封装时，有时难以控制流动性，不能满足填充性和密封性。本专利技术的目的在于提供具有保护功能和填充性、用于半导体芯片的保护和 填充、通过控制填充时的流动性而使填充性、密合性、形状维持性更优异的密 封用膜以及使用其的半导体装置。本专利技术以如下(1 ) ~ (9)所记载的事项为特征。(1 ) 一种具有树脂层的密封膜，所述树脂层含有下述(A )、 ( B )和(C )， 并且在80。C的流出量为150 1800jxm。(A) 树脂成分，其中，包含含有交联性官能团、重均分子量为10万 以上且Tg为-50 50。C的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成 分(a2)，(B) 平均粒径为l-30^im的填料，(C) 着色剂。(2 )—种具有树脂层的密封用膜，所述树脂层含有下述(A )、 ( B )和(C ), 并且B阶状态的膜的热固化粘弹性测定中的50 100。C的粘度为10000~ lOOOOOPa,s。(A) 树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上 且Tg为-50 50。C的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，(B) 平均粒径为1 30(jm的填料，(C) 着色剂。(3) 根据上述(1)所述的密封用膜，其中，相对于所述(A)树脂成分 含有5~85质量％的所述高分子量成分(al)和15 95质量％的所述热固性成 分(a2)的树脂IO质量份，含有1 300质量份的所述(B)填料、0.01 10质 量份的所述(C)着色剂。(4) 根据上述(1)或(2)所述的密封膜，其中，所述(A)树脂成分 含有5 80质量％的所述高分子量成分(al )、 15 85质量％的所述热固性成分(a2)。(5) 根据上述(4)所述的密封用膜，其中，相对于所述(A)树脂成分IO质量份，含有1 300质量份的所述(B)填料、0.01-10质量份的所述(C) 着色剂。(6 )根据上述(1) ~ ( 5 )中任一项所述的密封膜，其中，在所述树脂层 的单面上进一步具有厚度5 300pm的基材层，并且所述树脂层的厚度为(7 )根据上述(1 ) (5 )中任一项所述的密封膜，其中，在所述树脂层 的一个面上具有厚度5-30(^m的基材层，在所述树脂层的另一个面上具有厚 度5 300pm的保护层，并且，所述树脂层的厚度为5 800nm。(8)根据上述(1) (7)中任一项所述的密封膜，其中，所述(B)填 料为无机填料。(9 )根据上述(1) (8 )中任一项所述的密封膜，其中，所述(C )着 色剂是白色以外的颜色。(10)根据上述(1 ) ~ (9)中任一项所述的密封膜，其中，所述树脂层 的、17(TC下固化1小时后的35。C的储能模量为100 20000MPa。(11 ) 一种使用上述(1 ) ~ ( 10)中任一项所述的密封膜的半导体装置。(12) —种具有在8(TC的流出量为150 180(Him的树脂层的密封膜的制造 方法，其特征在于，包含向含有下述(A)、 (B)、 (C)的树脂层成分中添加 溶剂，来制作清漆的工序；将所述清漆涂布在基材层或基材的工序；对所述涂 布的清漆在60 200。C的温度下进行至少一回加热干燥3 30分钟的工序，其中，(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为IO万 以上且Tg为-50 5(TC的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成 分(a2)，(B) 平均粒径为1 30pm的填料，(C) 着色剂。(13) —种具有B阶状态的膜在热固化粘弹性测定中的50 100。C的粘度 为10000 100000Pa's的树脂层的密封膜的制造方法，其特征在于，包含向 含有下述(A)、 (B)、 (C)的树脂层成分中添加溶剂，来制作清漆的工序；将 所述清漆涂布在基材层或基材的工序；对所述涂布的清漆在60 200。C的温度 下进^f于至少一回加热干燥3 30分钟的工序，其中，(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万 以上且Tg为-50 50。C的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成 分(a2)，(B) 平均粒径为1 30(im的填料，(C) 着色剂。 附图说明图1是由基材层1和树脂层2形成的密封膜的示意图。 图2是由基材层1、树脂层2和保护层3形成的密封膜的示意图。 图3是将密封膜层压在半导体基板上的工序的模式图。 图4是具有用密封膜密封的突起状电极的半导体元件的示意图。 具体实施例方式构成本专利技术的密封膜的树脂层，含有下述(A)、 (B)和(C)，在80。C的 流出量为150-1800nm。(A) 树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上 且Tg为-50 50。C的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，'(B) 平均粒径为1 30pm的填料，(C) 着色剂。另夕卜，构成本专利技术的密封膜的树脂层，含有上述(A)树脂成分、上述(B) 填料和(C)着色剂，而且B阶状态的膜在热固化粘弹性测定中的5(K100。C 的粘度为10000~100000Pa-s。以下，对用于本专利技术的材料进行说明。<高分子成分(al ) >作为构成用于本专利技术的(A)树脂成分的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有树脂层的密封膜，所述树脂层含有下述（Ａ）、（Ｂ）和（Ｃ），所述树脂层在８０℃的流出量为１５０～１８００μｍ， （Ａ）树脂成分，其包含：含有交联性官能团、重均分子量为１０万以上且Ｔｇ为－５０～５０℃的高分子量成分（ａ１）；以及以 环氧树脂为主成分的热固性成分（ａ２）， （Ｂ）平均粒径为１～３０μｍ的填料， （Ｃ）着色剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上广幸，新岛克康，友利直己，竹森大地，今井卓也，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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