【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及一种接合结构。
技术介绍
1、在先前的接合结构中，接合结构内有组件会因芯片至衬底接合时，因为高温时管芯端与衬底端cte(热膨胀系数)失配而造成接合问题；而目前的铜(cu)至铜接合以纳米线作为接合界面可以具有低温接合的效益，因为纳米线的相互接合可以在较低的接合温度(室温～200℃)下进行接合。但是，由于纳米线的制程为电镀制程，对于没有晶种层的焊盘，无法在欲接合的金属点(诸如焊盘)上直接电镀纳米线，并且在焊盘上直接形成纳米线会面临较厚的模板易与衬底之间产生分层的问题。
2、具体地，参见图1a，在设置在衬底14上的焊盘11上通过溅射铝形成较厚的铝模板13(其厚度需要＞10μm，不适用于最大厚度不超过5μm的制造工艺)，如图1a所示，焊盘11形成在晶种层16上并且连接至衬底14中的金属迹线14t；之后，参见图1b，通过使用强酸(ph＜3)浸泡铝模板13进行阳极氧化处理来在铝模板13中形成与纳米线12相对应的细孔o，在强酸中浸泡铝模板13需要检查其它组件在强酸中的可使用性，在该接合结构10中，由于纳米线12通过浸泡于...
【技术保护点】
1.一种接合结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述接合部分的中心区域沿着相应线的侧壁延伸，并且在朝向所述相应线延伸的方向上具有渐缩的形状。
3.根据权利要求2所述的接合结构，其特征在于，所述中心区域包括与所述相应线接触的第一端部。
4.根据权利要求3所述的接合结构，其特征在于，还包括：围绕所述中心区域并且设置在所述接合部分的外侧边缘处的第二端部，
5.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述多个接合部分中的一个或多个接合部分的一部分位于所述焊盘的侧壁上。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种接合结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述接合部分的中心区域沿着相应线的侧壁延伸，并且在朝向所述相应线延伸的方向上具有渐缩的形状。
3.根据权利要求2所述的接合结构，其特征在于，所述中心区域包括与所述相应线接触的第一端部。
4.根据权利要求3所述的接合结构，其特征在于，还包括：围绕所述中心区域并且设置在所述接合部分的外侧边缘处的第二端部，
5.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述多个接合部分中的一个或多个接合部分的一部分位于所述焊盘的侧壁上。
6.根据权利要求4所述的接合结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永耀，洪筠净，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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