荧光体粉末、复合体和发光装置制造方法及图纸

一种荧光体粉末，是包含选自CASN荧光体粒子和SCASN荧光体粒子中的一种或两种以上的荧光体粒子的荧光体粉末，在上述荧光体粉末的通过FT－IR测定的库贝尔卡－蒙克函数的值(KM值)的红外吸收光谱中，在3200cm<supgt;－1</supgt;以上且小于3350cm<supgt;－1</supgt;的波数区域具有吸收峰a，且上述吸收峰a的KM值为1.25以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及荧光体粉末、复合体和发光装置。

技术介绍

1、为了制造白色led，研究了将来自蓝色led芯片的蓝光转换为红光的红色荧光体。作为红色荧光体，已知有所谓的casn荧光体、scasn荧光体等。

2、专利文献1中为了提供即使在高密度光激发时发光特性也优异、其中发光光谱的半峰宽窄且发光的量子效率维持率高的氮化物荧光体，记载了一种荧光体，其特征在于，包含通式masrbcacaldsienf表示的晶相，4000mw/mm2光激发下的量子效率维持率为85％以上。该通式中，m表示活化元素，0＜a＜0.05，0.95≤b≤1，0≤c＜0.1，a+b+c＝1，0.7≤d≤1.3，0.7≤e≤1.3，2.5≤f≤3.5。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2019－077800号公报

技术实现思路

1、本专利技术提供提高了可靠性的荧光体粉末、以及使用提高了可靠性的荧光体粉末的复合体和发光装置。

2、本专利技术人等为了解决上述课题而反复深入本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种荧光体粉末，是包含选自CASN荧光体粒子和SCASN荧光体粒子中的一种或两种以上的荧光体粒子的荧光体粉末，

2.根据权利要求1所述的荧光体粉末，其中，在所述库贝尔卡－蒙克函数的值即KM值的红外吸收光谱中，在3350cm－1～3450cm－1的波数区域进一步具有吸收峰b，

3.根据权利要求2所述的荧光体粉末，其中，将所述吸收峰a的KM值设为A，将所述吸收峰b的KM值设为B时，满足A＞B。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体粉末，其中，基于下述方法1的所述荧光体粉末的水分量为0.38质量％以下，

5.根据权利要求1～4中任一项所...

【技术特征摘要】

1.一种荧光体粉末，是包含选自casn荧光体粒子和scasn荧光体粒子中的一种或两种以上的荧光体粒子的荧光体粉末，

2.根据权利要求1所述的荧光体粉末，其中，在所述库贝尔卡－蒙克函数的值即km值的红外吸收光谱中，在3350cm－1～3450cm－1的波数区域进一步具有吸收峰b，

3.根据权利要求2所述的荧光体粉末，其中，将所述吸收峰a的km值设为a，将所述吸收峰b的km值设为b时，满足a＞b。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体粉末，其中，基于下述方法1的所述荧光体粉末的水分量为0.38质量％以下，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体粉末，其中，包含以通式euasrbcacaldsienfog表示且0＜a＜1.00、0＜b＜1.00、0＜c＜1.00、0.70＜a+b+c＜1.30、0.70＜d＜1.30、0.70＜e＜1.30、0＜f＜3.00、0＜g＜3.00、2.50＜f+g＜3.50的荧光体粒子。

6.根据权利要求5所述的荧光体粉末，其中，a＜0.30。

7.根据权利要求5或6所述的荧光体粉末，其中，b＞0.50。

8.根据权利要求5～7中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中萌子，野见山智宏，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：