基于模式叠加法的小型同极化全双工天线制造技术

本发明专利技术公开基于模式叠加法的小型同极化全双工天线。该天线由一个折叠SIW谐振腔和一个方形金属贴片组成，利用折叠腔体结构减小尺寸。当天线的其中一个端口被激励时，折叠SIW谐振腔产生的类TE<subgt;120</subgt;模式和贴片产生的TM<subgt;01</subgt;模式相叠加，可以在未激励端口周围产生电场零区，从而实现两端口之间的低互耦。整个天线结构十分简单，无需额外的去耦结构，具有尺寸小、馈电简单和同极化等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于天线设计，尤其涉及一种基于模式叠加法的小型同极化全双工天线。

技术介绍

1、随着万物互联的智能时代的到来，新一代移动通信系统对频谱效率和系统容量的需求不断增长，传统的容量改进技术已经达到了极限。在这一背景下，带内全双工（ibfd）系统由于具有同时发送和接收信号的特性，理论上可以将频谱效率提高一倍，因此受到了越来越多的关注。实现ibfd系统的关键在于抑制发送信道和接收信道之间的自干扰，这一过程称为自干扰抵消（sic）。众所周知，天线设计以及模拟和数字对消技术在实现高水平的自干扰抵消中发挥着重要作用。因此，采用高隔离天线可以在一定程度上减轻ibfd系统其他部分的设计负担，从而提升整体系统的性能和效率。

2、全双工天线是全双工系统的重要组成部分，通常可分为两大类：独立辐射体结构（双基地）和共享辐射体结构（单基地）。前者通过物理分离发射和接收通道，实现了固有的低耦合，有效减少了自干扰。然而，双基地天线的设计不可避免地牺牲了系统的整体尺寸。相比之下，单基地天线因共享同一辐射孔径，所以结构更加紧凑，但其端口之间往往存在较强的耦合。虽然采用双极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于模式叠加法的小型同极化全双工天线，从上至下依次包括：上层金属面(1)、上层介质基板(2)、中层金属面(3)、下层介质基板(4)、下层金属面(5)；

2.根据权利要求1所述的基于模式叠加法的小型同极化全双工天线，其特征在于所述中层金属面(3)上蚀刻有一对第一圆孔(3-2)；所述下层金属面(5)上蚀刻有一对第二圆孔(5-1)；所述上层介质基板(2)内部有一对第一非金属化通孔(2-1)，下层介质基板(4)内部有一对第二非金属化通孔(4-1)；所述第一圆孔(3-2)、第二圆孔(5-1)、第一非金属化通孔(2-1)、第二非金属化通孔(4-1)落在下层金属面(5)的投影中心重合。...

【技术特征摘要】

1.基于模式叠加法的小型同极化全双工天线，从上至下依次包括：上层金属面(1)、上层介质基板(2)、中层金属面(3)、下层介质基板(4)、下层金属面(5)；

2.根据权利要求1所述的基于模式叠加法的小型同极化全双工天线，其特征在于所述中层金属面(3)上蚀刻有一对第一圆孔(3-2)；所述下层金属面(5)上蚀刻有一对第二圆孔(5-1)；所述上层介质基板(2)内部有一对第一非金属化通孔(2-1)，下层介质基板(4)内部有一对第二非金属化通孔(4-1)；所述第一圆孔(3-2)、第二圆孔(5-1)、第一非金属化通孔(2-1)、第二非金属化通孔(4-1)落在下层金属面(5)的投影中心重合。

3.根据权利要求2所述的基于模式叠加法的小型同极化全双工天线，其特征在于所述方形槽(1-1)与方形金属贴片(1-2)间存在缝隙。

4.根据权利要求1所述的基于模式叠加法的小型同极化全双工天线，其特征在于所述u形缝隙(3-1)靠近折叠siw谐振腔的金属壁，但与金属壁不接触。

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【专利技术属性】
技术研发人员：金华燕，杨春阳，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：