【技术实现步骤摘要】
本公开的方面涉及半导体装置，并且涉及包括所述半导体装置的数据存储系统。
技术介绍
1、越来越期望能够在需要数据存储的数据存储系统中存储大容量数据的半导体装置。因此，已经研究了用于增大半导体装置的数据存储容量的方法。例如，已经提出了一种用于增加半导体装置的数据存储容量的方法，在该方法中，半导体装置包括三维布置的存储器单元而不是二维布置的存储器单元。
技术实现思路
1、本公开的一些实施例提供了可以容易制造的具有提高的电性质和可靠性的半导体装置。
2、本公开的一些实施例提供了数据存储系统，所述数据存储系包括可以容易制造的具有提高的电性质和可靠性的半导体装置。
3、根据本公开的一些实施例，一种半导体装置可以包括：第一半导体结构，包括基底、有源区域、电路器件、器件隔离区域、杂质区域、电路互连结构和电容器结构，有源区域位于基底中，电路器件位于基底上，器件隔离区域限定有源区域，杂质区域在电路器件的第一侧和第二侧上位于有源区域中，电路互连结构电连接到电路器件，电容器结构位于器件隔离...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
5.根据权利要求2所述的半导体装置，
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一电极结构和第二电极结构中的每个的最低部分位于比电路互连结构的最低部分的水平低的水平上。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体结构还包括虚设图案，虚设图案在第二方向和第三方向上彼此间隔开且位于与电容器结构竖直地叠置的区域中。
8.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
5.根据权利要求2所述的半导体装置，
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一电极结构和第二电极结构中的每个的最低部分位于比电路互连结构的最低部分的水平低的水平上。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体结构还包括虚设图案，虚设图案在第二方向和第三方向上彼此间隔开且位于与电容器结构竖直地叠置的区域中。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体装置，
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，与器件隔离区域竖直地叠置的第一电极结构和第二电极结构中的至少一部分电极结构至少延伸到器件隔离区域的一部分中。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李葰逸，金容俊，金灿镐，南尙完，李隆彬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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