覆盖基材制造技术

提供能用于各种领域、且能量产的新型的覆盖基材。覆盖基材(1)是由覆膜(3)覆盖基材(5)而成的。覆膜(3)的厚度为1nm以上且低于800nm。用X射线光电子能谱法测定覆膜(3)时，C(碳)的元素百分率为0.1atm％以上且低于20atm％，金属元素和O(氧)的总计的元素百分率为70atm％以上。覆膜(3)的相对密度为90％以上。覆膜(3)为非晶态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及覆盖基材。

技术介绍

1、专利文献1-4中公开了具备金属氧化物覆膜的覆盖基材。专利文献1-4中，采用了湿式成膜法。另一方面，为了控制符合复杂的基材形状的厚度，也有时采用干式成膜法(干式工艺)。

2、如果考虑对各种领域的应用和量产性，则现有的覆盖基材未必充分，迫切期望开发出新型的覆盖基材。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2011-32521号公报

6、专利文献2：日本特开2009-147192号公报

7、专利文献3：日本特开2015-93821号公报

8、专利文献4：日本特开平9-202606号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本公开是鉴于上述实际情况而做出的，其目的在于，提供：能用于各种领域、且能量产的新型的覆盖基材。本公开能以以下的方式实现。

3、用于解决问题的方案

4、[1]

5、一种覆盖基材，其是由覆膜覆盖基材而成的，...

【技术保护点】

1.一种覆盖基材，其是由覆膜覆盖基材而成的，

2.根据权利要求1所述的覆盖基材，其中，在所述基材上形成有所述覆膜的部位具有导电性。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的覆盖基材，其中，所述覆膜中包含具有C-H键、C＝O键、C-O键中的至少1种结构的化合物。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的覆盖基材，其中，用X射线光电子能谱法测定所述覆膜时，卤素元素的元素百分率为0.1atm％以上。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的覆盖基材，其中，所述金属元素为选自由Al(铝)、Ti(钛)、Mo(钼)、Cr(铬)、Mn(锰)、Fe(铁)、Co(钴)、...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种覆盖基材，其是由覆膜覆盖基材而成的，

2.根据权利要求1所述的覆盖基材，其中，在所述基材上形成有所述覆膜的部位具有导电性。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的覆盖基材，其中，所述覆膜中包含具有c-h键、c＝o键、c-o键中的至少1种结构的化合物。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的覆盖基材，其中，用x...

【专利技术属性】
技术研发人员：村田朋来，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：