【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及化学机械抛光的原位监测，具体而言，涉及声学监测。
技术介绍
1、通常通过在硅晶片上依序沉积导电层、半导体层、或绝缘层而在基板上形成集成电路。一个制造步骤涉及在非平坦表面上沉积填充层并平坦化填充层。对于某些应用，例如，使用导电填充材料来填充绝缘层中的沟槽或孔，填充层被平坦化直到图案化层的顶表面被暴露。对于其他应用(诸如氧化物抛光)，填充层例如通过抛光达预定时间段而被平坦化，以在非平坦表面上留下填充层的一部分。此外，光刻通常需要基板表面的平坦化。
2、化学机械抛光(cmp)是一种被接受的平坦化方法。这种平坦化方法通常需要将基板安装在载具或抛光头上。通常将基板的暴露表面放置抵靠旋转的抛光垫。承载头在基板上提供可控制负载，以将其推抵抛光垫。承载头通常包括保持环以围绕基板并将基板固持在承载头下方。保持环的下表面可被压抵抛光垫且可随着抛光的进行而磨耗。因此，可能需要定期更换保持环。
3、在一些系统中，在抛光期间原位监测基板。已提出在抛光期间对基板进行声学监测。
技术实现思路>
1、在一个方本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种化学机械抛光装置，包括：
2.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置为基于所述信号来检测所述保持环被破坏。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述控制器被配置为响应于检测所述保持环被破坏而产生警报。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置为基于所述信号来检测在所述保持环的内表面上已形成开槽。
5.如权利要求4所述的装置，其中所述控制器被配置为响应于检测在所述保持环的所述内表面上已形成所述开槽而产生警报。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置为产生所述信号的测量的频谱。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种化学机械抛光装置，包括：
2.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置为基于所述信号来检测所述保持环被破坏。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述控制器被配置为响应于检测所述保持环被破坏而产生警报。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置为基于所述信号来检测在所述保持环的内表面上已形成开槽。
5.如权利要求4所述的装置，其中所述控制器被配置为响应于检测在所述保持环的所述内表面上已形成所述开槽而产生警报。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置为产生所述信号的测量的频谱。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述控制器被配置为将所述测量的频谱与参考频谱进行比较。
8.如权利要求6所述的装置，其中所述控制器被配置为检测所述测量的频谱中的带中的信号强度，并且将所述信号强度与阈值进行比较。
9.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置为选择所述信号对应于定位在所述保持环下方的所述声学传感器的部分。
10.一种化学机械抛光装置，包括：
11...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·方，T·H·奥斯特海德，B·切里安，钱隽，许昆，S·布尔曼德，B·A·斯韦德克，吴政勋，D·J·本韦格努，B·J·布朗，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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