一种多晶硅电源制造技术

本技术涉及多晶硅技术领域，其目的是提供一种多晶硅电源。这种多晶硅电源便于拆装维修，整流效率较高，能耗较低。上述多晶硅电源包括：机柜和设置于机柜内的整流组件和控制组件；整流组件包括多个IGBT模块；控制组件包括：总断路器和多个分断路器，总断路器与多个分断路器连接，且每个分断路器与一个IGBT模块的输入端连接。本技术解决了现有技术中的多晶硅电源采用可控硅整流，不便于后期对可控硅进行拆装维护，而且可控硅的整流效率低下，能耗较高的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅，具体涉及一种多晶硅电源。

技术介绍

1、多晶硅电源，又称多晶硅还原炉加热电源，是一种生产多晶硅材料的装置。目前市场上的多晶硅电源采用可控硅进行整流，可控硅(silicon controlled rectifier)简称scr，也称晶闸管，是一种大功率电器元件，在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。如图1所示，为现有的可控硅安装示意图，可控硅由上至下依次安装在电源机柜内部的通水铝排的两侧，通过压块进行固定。由于机柜内部空间有限，后期拆装维护时需要将这部分结构整体拆下，然后在机柜外部进行维修，操作起来很不方便，并且可控硅本身的整流效率比较低，能耗较高。

技术实现思路

1、因此，本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的多晶硅电源采用可控硅整流不便于后期对可控硅进行拆装维护，而且可控硅的整流效率低下，能耗较高的缺陷，从而提供一种便于拆装维修，整流效率较高，能耗较低的多晶硅电源。

2、为了解决上述问题，本技术提供了一种多晶硅电源，包括：

3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶硅电源，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多晶硅电源，其特征在于，所述IGBT模块(3)包括：机箱(301)、整流单元(302)、IGBT逆变单元(303)和控制元件(304)，所述整流单元(302)、所述IGBT逆变单元(303)和所述控制元件(304)设置于所述机箱(301)内，且所述整流单元(302)和所述IGBT逆变单元(303)连接，所述IGBT逆变单元(303)与所述控制元件(304)连接。

3.根据权利要求2所述的多晶硅电源，其特征在于，所述机箱(301)的外侧设置有把手(305)。

4.根据权利要求1所述的多晶硅电...

【技术特征摘要】

1.一种多晶硅电源，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多晶硅电源，其特征在于，所述igbt模块(3)包括：机箱(301)、整流单元(302)、igbt逆变单元(303)和控制元件(304)，所述整流单元(302)、所述igbt逆变单元(303)和所述控制元件(304)设置于所述机箱(301)内，且所述整流单元(302)和所述igbt逆变单元(303)连接，所述igbt逆变单元(303)与所述控制元件(304)连接。

3.根据权利要求2所述的多晶硅电源，其特征在于，所述机箱(301)的外侧设置有把手(305)。

4.根据权利要求1所述的多晶硅电源，其特征在于，所述机柜(2)内设置有安装架(201)，多个所述igbt模块(3)设置于所述安装架(201)上。

5.根据权利要求1所述的多晶硅电源，其特征在于，所述机柜(2)内沿所述机柜(2)的长度方向间隔设置有四列模块组，中间的两列所述模块组均沿所述机柜(2)的高度方向间隔设置四个所述igbt模块(3)，两侧的其中一列所述模块组沿所述机柜(2)的高度方向间隔设置有三个所述igbt模块(3)，另一列所述模块组沿所述机柜(2)的高度方向间隔设置有六个所述igbt模块(3)。

6.根据权利要求5所述的多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂贤德，丁少云，叶心韦，黄瑞炉，
申请(专利权)人：江西力源海纳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：