System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光罩护膜组件、光罩组件、光罩盒和光罩护膜测量方法技术_技高网

光罩护膜组件、光罩组件、光罩盒和光罩护膜测量方法技术

技术编号:44006901 阅读:44 留言:0更新日期:2025-01-10 20:24
本公开提供了光罩护膜组件、光罩组件、光罩盒和光罩护膜测量方法。一种光罩护膜组件可以包括:光罩护膜框架,配置为提供第一开口;光罩护膜,在光罩护膜框架上;以及多个光罩护膜电极,沿着光罩护膜的边缘布置并彼此间隔开。光罩护膜可以包括具有四边形或矩形框架形状的光罩护膜边界以及位于光罩护膜边界的顶表面上并且联接到光罩护膜边界的顶表面的光罩护膜膜状物。每个光罩护膜电极可以包括位于光罩护膜膜状物的顶表面上并与光罩护膜膜状物的顶表面接触的接触构件。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光罩护膜组件(pellicle assembly)、光罩组件(reticle assembly)、光罩盒(reticle case)、光罩护膜测量方法和光罩测量方法,具体地,涉及被提供为感测光罩护膜或光罩的状态的光罩护膜组件、光罩组件、光罩盒、光罩护膜测量方法和光罩测量方法。


技术介绍

1、半导体器件可以通过各种工艺来制造。例如,半导体器件可以通过曝光工艺、蚀刻工艺、沉积工艺和/或镀覆工艺来制造。在曝光工艺中,可以使用光罩在晶片上形成期望的图案。为了保护光罩免受外部污染物质的影响,光罩护膜可以位于光罩上并且联接到光罩。光罩护膜可以提供为薄膜的形式。在光罩护膜损坏的情况下,在曝光工艺之后可能在晶片上产生缺陷。


技术实现思路

1、本专利技术构思的一实施方式提供光罩护膜组件、光罩组件、光罩盒、光罩护膜测量方法和光罩测量方法,其被提供来感测光罩护膜和/或光罩中的缺陷。

2、本专利技术构思的一实施方式提供光罩护膜组件、光罩组件、光罩盒、光罩护膜测量方法和光罩测量方法,其被提供来估计光罩护膜的寿命。

3、本专利技术构思的一实施方式提供光罩护膜组件、光罩组件、光罩盒、光罩护膜测量方法和光罩测量方法,其用于甚至在光罩护膜或光罩的运输或储存期间也测量光罩护膜和/或光罩。

4、根据本专利技术构思的一实施方式,一种光罩护膜组件可以包括:光罩护膜框架,配置为提供第一开口;光罩护膜,在光罩护膜框架上;以及多个光罩护膜电极,沿着光罩护膜的边缘布置并彼此间隔开。光罩护膜可以包括具有四边形或矩形框架形状的光罩护膜边界以及位于光罩护膜边界的顶表面上并且联接到光罩护膜边界的顶表面的光罩护膜膜状物。每个光罩护膜电极可以包括位于光罩护膜膜状物的顶表面上并与光罩护膜膜状物的顶表面接触的接触构件。

5、根据本专利技术构思的一实施方式,一种光罩组件可以包括:光罩,配置用于曝光工艺;载物台,配置为支撑光罩;以及多个光罩电极,在光罩和载物台之间。光罩可以包括顶表面和与顶表面间隔开的底表面,顶表面在其上包括掩模图案。每个光罩电极可以与光罩的底表面接触,所述多个光罩电极可以沿着光罩的底表面的边缘布置并彼此间隔开。

6、根据本专利技术构思的一实施方式,一种光罩盒可以包括下盒(lower pod)和位于下盒上并且联接到下盒的上盒(upper pod)。下盒可以包括:下盒主体,配置为提供下插入空间;以及多个下支撑电极,从下盒主体的限定下插入空间的底表面向上延伸。当在平面图中观察时,所述多个下支撑电极可以沿着四边形或矩形形状的拐角布置并彼此间隔开。

7、根据本专利技术构思的一实施方式,一种光罩护膜测量方法可以包括:向两个光罩护膜电极供应电流,所述两个光罩护膜电极被包括在沿着光罩护膜膜状物的边缘布置并彼此间隔开的多个光罩护膜电极中;测量从所述多个光罩护膜电极中选择的一对光罩护膜电极之间的电位差;以及测量光罩护膜膜状物的阻抗。

8、根据本专利技术构思的一实施方式,一种光罩测量方法可以包括:向两个光罩电极供应电流,所述两个光罩电极被包括在沿着光罩的底表面的边缘布置并彼此间隔开的多个光罩电极中;测量从所述多个光罩电极中选择的一对光罩电极之间的电位差;以及测量光罩的阻抗。

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【技术保护点】

1.一种光罩护膜组件,包括:

2.根据权利要求1所述的光罩护膜组件,其中每个所述光罩护膜电极还包括支撑构件,所述支撑构件位于所述光罩护膜框架上并由所述光罩护膜框架支撑,以及

3.根据权利要求2所述的光罩护膜组件,其中所述光罩护膜边界的所述顶表面在所述光罩护膜膜状物的所述周边部分和所述光罩护膜框架的顶表面之间,以及

4.根据权利要求1所述的光罩护膜组件,其中所述光罩护膜框架还提供联接孔,所述联接孔从所述光罩护膜框架的底表面向上凹入。

5.根据权利要求1所述的光罩护膜组件,其中当在平面图中观察时,所述光罩护膜膜状物具有四边形或矩形形状,以及

6.一种光罩组件,包括:

7.根据权利要求6所述的光罩组件,其中当在平面图中观察时,所述光罩具有四边形或矩形形状,以及

8.根据权利要求6所述的光罩组件,其中所述载物台还包括静电卡盘,所述静电卡盘具有配置为支撑所述光罩的顶表面,

9.根据权利要求8所述的光罩组件,其中每个所述光罩电极还包括联接构件,所述联接构件从所述插入构件延伸到在所述光罩外部的区域并暴露于在所述光罩外部的所述区域。

10.根据权利要求6所述的光罩组件,还包括光罩护膜组件,所述光罩护膜组件位于所述光罩上并且联接到所述光罩,

11.根据权利要求10所述的光罩组件,其中所述光罩护膜组件还包括:

12.一种光罩盒,包括:

13.根据权利要求12所述的光罩盒,其中所述下盒还包括多个支撑构件,所述多个支撑构件从所述下盒主体的所述底表面向上延伸,以及

14.根据权利要求13所述的光罩盒,其中所述多个支撑构件中的每个包括绝缘材料,以及

15.根据权利要求13所述的光罩盒,其中在所述下盒主体的所述底表面限定基准参考平面的情况下,分别至少部分地围绕所述下支撑电极的所述多个支撑构件中的每个的上端的水平等于或低于每个所述下支撑电极的上端的水平。

16.根据权利要求12所述的光罩盒,其中所述上盒包括:

17.一种光罩护膜测量方法,包括:

18.根据权利要求17所述的光罩护膜测量方法,其中被供应所述电流的所述两个光罩护膜电极彼此相邻。

19.根据权利要求18所述的光罩护膜测量方法,其中对所述多个光罩护膜电极的全部依次执行向所述两个光罩护膜电极供应所述电流。

20.根据权利要求17所述的光罩护膜测量方法,其中对所述多个光罩护膜电极中的两个相邻的光罩护膜电极执行在所选择的一对所述光罩护膜电极之间的所述电位差的测量。

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【技术特征摘要】

1.一种光罩护膜组件,包括:

2.根据权利要求1所述的光罩护膜组件,其中每个所述光罩护膜电极还包括支撑构件,所述支撑构件位于所述光罩护膜框架上并由所述光罩护膜框架支撑,以及

3.根据权利要求2所述的光罩护膜组件,其中所述光罩护膜边界的所述顶表面在所述光罩护膜膜状物的所述周边部分和所述光罩护膜框架的顶表面之间,以及

4.根据权利要求1所述的光罩护膜组件,其中所述光罩护膜框架还提供联接孔,所述联接孔从所述光罩护膜框架的底表面向上凹入。

5.根据权利要求1所述的光罩护膜组件,其中当在平面图中观察时,所述光罩护膜膜状物具有四边形或矩形形状,以及

6.一种光罩组件,包括:

7.根据权利要求6所述的光罩组件,其中当在平面图中观察时,所述光罩具有四边形或矩形形状,以及

8.根据权利要求6所述的光罩组件,其中所述载物台还包括静电卡盘,所述静电卡盘具有配置为支撑所述光罩的顶表面,

9.根据权利要求8所述的光罩组件,其中每个所述光罩电极还包括联接构件,所述联接构件从所述插入构件延伸到在所述光罩外部的区域并暴露于在所述光罩外部的所述区域。

10.根据权利要求6所述的光罩组件,还包括光罩护膜组件,所述光罩护膜组件位于所述光罩...

【专利技术属性】
技术研发人员:李允汉具君谟金文子
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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