一种双介质DBR型垂直腔面发射激光器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种双介质DBR型垂直腔面发射激光器、其制备方法。所述双介质DBR型垂直腔面发射激光器包括：导电热沉层、第一金属电极、第一介质DBR层、第一透明导电层、第一绝缘介质层、有源结构层；第二绝缘介质层、第二透明导电层、第二介质DBR层、第二金属电极。本发明专利技术工艺简单，整体结构呈现平面结构，具备良好的散热功能。通过对光场和电场更好地限制，优化电流注入效率，有助于提高激光器器件的输出功率和转化效率，并且优良的散热性能够提高器件可工作的电流密度，增大光功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于垂直腔面发射激光器领域，具体涉及一种双介质dbr型垂直腔面发射激光器及其制备方法。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器(vcsel)具有体积小、阈值电流低、光束质量好、光电转换效率高、易于二维列阵集成和制造等优点，逐渐应用于光通讯、光互连、信息存贮、显示、医疗、工业加工和军事等方面，展现了广阔的发展前景。传统的氧化限制型结构vcsel在器件研究上存在技术工艺路线有待改进、成品率和可靠性有待提高等问题。传统工艺中往往采用氧化方式来控制电流限制孔径的大小，以此实现单模输出，这种工艺难以精确控制孔径大小，尤其是在小尺寸电流限制孔径(5um以下尤甚)的制备工艺中；并且采用的单侧电流限制对电场的限制效果也有待提高。另一方面，上下分布式布拉格反射镜(dbr)的外延生长也可能会面临dbr材料与衬底的晶格不匹配、折射率差较小、散热性差等问题，这一点在gan基、inp基器件方面体现尤为明显。因此，急需实现一种效率更高、更加易于制备和控制的结构来推动vcsel的发展。

技术实现思路

1、因此，本专利技术的目的在于克服本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双介质DBR型垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述双介质DBR型垂直腔面发射激光器包括：导电热沉层、金属电极、介质DBR层、透明导电层、绝缘介质层、有源结构层；其中，

2.根据权利要求1所述的双介质DBR型垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述双介质DBR型垂直腔面发射激光器包括自下而上依次设置的：

3.根据权利要求1或2所述的双介质DBR型垂直腔面发射激光器，其特征在于：

4.制备权利要求1至3中任一项所述的双介质DBR型垂直腔面发射激光器的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤...

【技术特征摘要】

1.一种双介质dbr型垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述双介质dbr型垂直腔面发射激光器包括：导电热沉层、金属电极、介质dbr层、透明导电层、绝缘介质层、有源结构层；其中，

2.根据权利要求1所述的双介质dbr型垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述双介质dbr型垂直腔面发射激光器包括自下而上依次设置的：

3.根据权利要求1或2所述的双介质dbr型垂直腔面发射激光器，其特征在于：

4.制备权利要求1至3中任一项所述的双介质dbr型垂直腔面发射激光器的方法，其特征在于，所述方法包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣欣，陈弘，贾海强，邓震，王文新，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：