【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电源领域,具体而言,涉及一种二次斜坡补偿电流生成电路及电子设备。
技术介绍
1、传统的斜坡补偿技术主要为固定斜坡补偿,此方案虽然能实现补偿的目的(稳定电流环路),但是这种斜坡补偿机制普遍采用单一斜率的补偿斜坡,补偿量相对固定,容易造成小占空比下的过量补偿。过量补偿限制了系统的瞬态响应以及最大带载能力,造成系统瞬态响应变差,影响系统的正常工作。
2、在此基础上,如何实现较小占空比下有较小的补偿电流,而当占空比增加时会使补偿电流迅速增加,成为了困扰本领域技术人员的难题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种二次斜坡补偿电流生成电路及电子设备,以改善上述问题。
2、为了实现上述目的,本专利技术实施例采用的技术方案如下:
3、第一方面,本专利技术实施例提供一种二次斜坡补偿电流生成电路,所述二次斜坡补偿电流生成电路包括:一次斜坡补偿电流生成模块、第一电流拉取模块、第二电流拉取模块以及二次斜坡补偿电流生成模块;
4、所述一次斜坡补
...【技术保护点】
1.一种二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述二次斜坡补偿电流生成电路包括:一次斜坡补偿电流生成模块、第一电流拉取模块、第二电流拉取模块以及二次斜坡补偿电流生成模块;
2.如权利要求1所述的二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述二次斜坡补偿电流生成模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、输出单元以及反馈单元;
3.如权利要求2所述的二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述反馈单元包括第六NMOS管和第七NMOS管;
4.如权利要求3所述的二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述二次斜坡补偿
...【技术特征摘要】
1.一种二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述二次斜坡补偿电流生成电路包括:一次斜坡补偿电流生成模块、第一电流拉取模块、第二电流拉取模块以及二次斜坡补偿电流生成模块;
2.如权利要求1所述的二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述二次斜坡补偿电流生成模块包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、输出单元以及反馈单元;
3.如权利要求2所述的二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述反馈单元包括第六nmos管和第七nmos管;
4.如权利要求3所述的二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述二次斜坡补偿电流生成模块还包括第八nmos管和/或由第九pmos管、第十pmos管组成的电流镜结构;
5.如权利要求2所述的二次斜坡补偿电流生成电路,其特征在于,所述第一pmos管的宽长比和所述第二pmos...
【专利技术属性】
技术研发人员:胥文兴,郑晨,
申请(专利权)人:思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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