【技术实现步骤摘要】
本申请涉micro-led显示,特别是涉及一种目标物表面无损测量装置和方法。
技术介绍
1、随着微型氮化镓(gan)发光二极管(light emitting diode,led)制造工艺的不断进步,具有功耗低、寿命长、体积小、可靠性高等优点的氮化镓基微型发光二极管(microled)显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。
2、在micro led 显示众多技术环节中,晶圆级micro led芯片的检测是实现坏点拦截,提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量(百万数量级)、小尺寸(<50μm)的晶圆级micro led芯片阵列,现有的检测手段存在检测效率低、成本高等缺点。因此,提高检测效率、提升检测准确度、降低检测成本是晶圆级micro led检测技术的发展趋势。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够提高检测效率、降低检测成本目标物表面无损测量装置和方法。
2、第一方面,本申
...【技术保护点】
1.一种目标物表面无损测量装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
3.根据权利要求2所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
4.根据权利要求1所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求1-4任一项所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
6.根据权利要求1-4任一项所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
7.一种目标物表面无损测量方法,其特征在于,所述方法包括:
8.根据
...【技术特征摘要】
1.一种目标物表面无损测量装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
3.根据权利要求2所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
4.根据权利要求1所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求1-4任一项所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
6.根据权利要求1-4任一项所述的目标物表面无损测量装置,其特征在于,还包括:
7.一种目标物表面无损测量方法,其特征在于,所述方法包括:
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述对所述第一灰度图像和所述第二灰度图像进行图像...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙逸,姚宪,姚夏,
申请(专利权)人:华兴源创成都科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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