【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路,具体涉及一种高压转低压电路及电源管理单元。
技术介绍
1、电源管理单元 (power management unit,pmu)是大多数芯片不可缺少的重要组成部分;pmu一般会由一个或n个ldo(线性稳压器)、bandgap(带隙基准电路)、过压保护、欠压保护等电路组成,为芯片的其他电路模块提供稳定的电压源、参考电压(电流)、和一些过压、欠压保护功能。考量pmu的一个重要指标是其工作电压范围,传统架构的pmu最低工作电压一般在4v左右,在一些汽车电子应用中,如某个汽车马达应用中要求电源电压在低至2v时候,内部sram数据还可以保存(sram由1.5v ldo供电),这就意味着pmu最低工作电压需要进一步降低至2v。
2、因此,如何降低pmu的最低工作电压,是本领域技术人员关注的焦点。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提出一种高压转低压电路及电源管理单元,可以降低电源管理单元的最低工作电压。
2、为了实现上述目的,本专利技术提供了一种高
...【技术保护点】
1.一种高压转低压电路,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的高压转低压电路,其特征在于,所述高压转低压电路还包括第一过冲抑制电路;所述第一过冲抑制电路包括:第二PMOS管、第三PMOS管、第四电阻和第三齐纳管;
3.如权利要求1或2所述的高压转低压电路,其特征在于,所述高压转低压电路还包括第二过冲抑制电路;所述第二过冲抑制电路包括:第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和电容;
4.一种电源管理单元,其特征在于,包括权利要求1-3任一项所述的高压转低压电路
5....
【技术特征摘要】
1.一种高压转低压电路,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的高压转低压电路,其特征在于,所述高压转低压电路还包括第一过冲抑制电路;所述第一过冲抑制电路包括:第二pmos管、第三pmos管、第四电阻和第三齐纳管;
3.如权利要求1或2所述的高压转低压电路,其特征在于,所述高压转低压电路还包括第二过冲抑制电路;所述第二过冲抑制电路包括:第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、第七pmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管和电容;
4.一种电源管理...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡胜凯,董渊,李响,庄健,
申请(专利权)人:上海紫鹰微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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