重结晶碳化硅制品及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种重结晶碳化硅制品的制备方法，采用一次成型，获得的坯体不需要进行烧结，而是通过梯度升温将热固性粘结剂固化，使坯体的强度得到急剧提升得到基体，之后根据基体的结构设计浸渍配方及工艺，通过多次浸渍，使更细小的颗粒能够充分填充到基体的孔中，烧结后形成更细小的气孔，从而减少气孔率，获得的碳化硅构件具有3.0g/cm<supgt;3</supgt;以上的高密度，以及150MPa～300MPa的高强度，可以满足高温烧结坩埚、炉管的使用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷材料，具体而言涉及一种重结晶碳化硅制品及其制备方法。

技术介绍

1、高温烧结坩埚、炉管所处的工作环境较为恶劣，为了保证稳定、可靠地工作，一般采用具有卓越的耐高温、抗热震性、高密度、高强度，以及化学稳定性的碳化硅陶瓷作为制备材料。碳化硅陶瓷的制造工艺中通常采用常压烧结法、反应烧结法、热压烧结法、浸渍法和重结晶法等烧成方法，为了满足高温烧结坩埚、炉管的要求，在制备时一般采用反应烧结，液相烧结等方法以获得具有较高的致密性、抗热冲击性能和纯净度的碳化硅。

2、重结晶碳化硅(r-sic)具有很高的纯度和耐热冲击性，具有较广的使用温度和极端使用环境，能够满足高温烧结坩埚、炉管的使用环境，但是r-sic烧结通常无法达到足够高的致密度。重结晶是在高于2100℃的温度及一定压力的气氛保护下，小颗粒发生蒸发—凝聚再结晶作用，在大颗粒接触处发生颗粒共生形成的烧结体，小颗粒蒸发会造成一定数量孔隙，因此这种烧结方法会导致碳化硅陶瓷具有较高的气孔率，即使通过控制原料粉的颗粒级配，其密度也很难高于2.6g/cm3，不能满足碳化硅坩埚高密度高强度的要求，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，第一碳化硅粉和第二碳化硅粉的平均粒径关系为：D2＜0.8D1。

3.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，所述第一碳化硅粉的平均粒径D1为15μm～95μm。

4.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，所述第一碳化硅粉和第二碳化硅粉的质量比为(1～10):1。

5.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，将步骤S1得到的坯体进行梯度升温固化的过程如下：...

【技术特征摘要】

1.一种重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，第一碳化硅粉和第二碳化硅粉的平均粒径关系为：d2＜0.8d1。

3.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，所述第一碳化硅粉的平均粒径d1为15μm～95μm。

4.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，所述第一碳化硅粉和第二碳化硅粉的质量比为(1～10):1。

5.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，将步骤s1得到的坯体进行梯度升温固化的过程如下：

6.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，根据步骤s2得到的基体的体积v1和气孔率b1确定第三碳化硅粉和第四碳化硅粉的粉体总体积，以及根据基体的气孔尺寸a1确定第三碳化硅粉的平均粒径d3的原则如下：

7.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，第三碳化硅粉和第四碳化硅粉的平均粒径关系为：d4＜0.8d3。

8.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，所述第三碳化硅粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟强，王绍隆，吴良辉，左开慧，
申请(专利权)人：兰德森材料科技盐城有限公司，
类型：发明
国别省市：