【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电流补偿,更具体地,涉及一种高精度基极电流补偿装置。
技术介绍
1、目前的基极电流补偿方法通常有两种:一种方法是通过采用输入级放大器的cascode(共源共栅)管基极电流,镜像补偿输入晶体管的基极电流,这种方法的缺点是采样管与输入集体管的放大器系数并不匹配,而且pnp晶体管(发射极为p型半导体、基极为n型半导体、集电极为p型半导体的晶体管)的放大系数一般较小,又由于厄尔利电压的存在,导致补偿误差存在1/20-1/5,当输入晶体管为超β晶体管时,误差进一步放大;另一种方法是采用复制输入晶体管,构成复制放大器电流,再通过威尔逊电流镜镜像复制放大器的基极电流,从而补偿信号输入晶体管的基极电流,然而这种方法采用大量晶体管,浪费面积和功耗,对版图要求较高(考虑到工艺的存在),当pnp晶体管的放大系数不高时,电路误差会进一步放大。
2、可见,现有技术中的基极电流补偿方法补偿误差大,且功耗高,因此,如何提高晶体管放大器基极电流补偿的精度并减少误差是目前面临的重要问题。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述装置包括:
2.根据权利要求1所述的高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述差分放大器被配置为对称的差分输入结构,使得流过所述输入晶体管N1、所述输入晶体管N2和所述晶体管N7的电流大小相等。
3.根据权利要求2所述的高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述差分放大器还包括:
4.根据权利要求2所述的高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述差分放大器还包括:
5.根据权利要求4所述的高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述输入晶体管N1、所述输入晶体管N2和所述晶体管N7被
...【技术特征摘要】
1.一种高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述装置包括:
2.根据权利要求1所述的高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述差分放大器被配置为对称的差分输入结构,使得流过所述输入晶体管n1、所述输入晶体管n2和所述晶体管n7的电流大小相等。
3.根据权利要求2所述的高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述差分放大器还包括:
4.根据权利要求2所述的高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述差分放大器还包括:
5.根据权利要求4所述的高精度基极电流补偿装置,其特征在于,所述输入晶体管n1、所述输入晶体管n2和所述晶体管n7被配置为偏置条件相同,使得流过所述输入晶体管n1、所述输入晶体管n2和所述晶体管n7的基极的电流大小相等。
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【专利技术属性】
技术研发人员:洪婷,李文昌,刘剑,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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