【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于氯硅烷分离,尤其涉及一种用于还原回收氯硅烷分离提纯的隔板耦合工艺。
技术介绍
1、多晶硅是光伏产业和半导体产业的基础原料,目前,多晶硅的主要生产工艺是改良西门子法。首先利用冶金硅与氯化氢反应合成三氯氢硅粗品,然后对三氯氢硅粗品进行精馏提纯得到高纯三氯氢硅,接着通过还原反应和化学气相沉积(cvd)将高纯三氯氢硅转化成高纯度的多晶硅,还原后产生的尾气进行干法回收,回收的氢气返回还原工序,回收的液相氯硅烷送至精馏装置进行氯硅烷的组分分离,分离得到的高纯三氯氢硅返回还原工序,四氯化硅送至冷氢化工序制备三氯氢硅,二氯二氢硅则和四氯化硅反应生成三氯氢硅后也送至精馏工序。改良西门子法实现了氢气和氯硅烷的闭路循环利用,具有成熟、安全性能较好、容易扩建的优势。
2、三氯氢硅的氢还原过程中,三氯氢硅的转化率只有约10%,导致还原尾气中存在大量未反应的三氯氢硅,回收过程势必需要大量能耗。同时,还原反应过程除了副产四氯化硅和二氯二氢硅,还会生成比四氯化硅沸点更高的六氯乙硅烷等聚合氯硅烷,同时还有沸点比二氯二氢硅低的轻杂、沸点介于三氯氢
...【技术保护点】
1.一种用于还原回收氯硅烷分离提纯的隔板耦合工艺,其特征在于,包含以下步骤:
2.如权利要求1所述的一种用于还原回收氯硅烷分离提纯的隔板耦合工艺,其特征在于:所述隔板精馏一塔(T1)的塔内设置一块垂直隔板,将隔板精馏一塔分为公共精馏段(T1-1)、隔板进料侧(T1-2)、隔板采出侧(T1-3)和公共提馏段(T1-4)。
3.如权利要求1所述的一种用于还原回收氯硅烷分离提纯的隔板耦合工艺,其特征在于:所述隔板精馏二塔(T2)的塔内设置一块垂直隔板,将隔板精馏二塔分为公共精馏段(T2-1)、隔板进料侧(T2-2)、隔板采出侧(T2-3)和公共提馏段
...【技术特征摘要】
1.一种用于还原回收氯硅烷分离提纯的隔板耦合工艺,其特征在于,包含以下步骤:
2.如权利要求1所述的一种用于还原回收氯硅烷分离提纯的隔板耦合工艺,其特征在于:所述隔板精馏一塔(t1)的塔内设置一块垂直隔板,将隔板精馏一塔分为公共精馏段(t1-1)、隔板进料侧(t1-2)、隔板采出侧(t1-3)和公共提馏段(t1-4)。
3.如权利要求1所述的一种用于还原回收氯硅烷分离提纯的隔板耦合工艺,其特征在于:所述隔板精馏二塔(t2)的塔内设置一块垂直隔板,将隔板精馏二塔分为公共精馏段(t2-1)、隔板进料侧(t2-2)、隔板采出侧(t2-3)和公共提馏段(t2-4)。
4.根据权利要求1所述的一种用于还原回收氯硅烷分离提纯的隔板耦合工艺,其特征在于:所述隔板精馏一塔(t1)的塔顶气相出口分别与隔板精馏一塔(t1)冷凝器(e2)的壳程气相入口、隔板精馏二塔(t2)再沸器(e3)的壳程气相入口相连接,隔板精馏一塔(t1)冷凝器(e2)的壳程液相出口...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈锦溢,郭莉,华超,房川琦,白芳,陆平,张豪豪,
申请(专利权)人:中国科学院过程工程研究所,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。